刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 阴极铝箔化学腐蚀工艺研究──Ⅱ.关于阴极铝箔容量衰减问题

    沈行素,蒋建新,严季新,李立新,吴琦

    在30%酒石酸铵溶液中用恒定阳极电流测定阴极箔的计时电压(E-t)曲线,根据曲线转折电压E转判断表面氧化膜相对厚度,发现膜厚与电容量有很好对应关系。用pH=2磷酸钝化液处理的箔在刚生产出来时表面氧化膜很薄,随时间增厚,容量下降幅度大。改用pH=3.4磷酸钝化液,形成的氧化膜较厚,较稳定,容量下降得到改善。对此作了分析探讨。

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  • 柔性复合薄膜的合成效应

    杨大本

    研究了电子复合薄膜的结构原则、复合柔韧性。探索了两相柔性复合体系的电子功能性、弥散模型、合成效应机理。

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  • 低居里点突变型PTC材料的研究

    喻力华,薛谦忠,张端明,唐超群,刘书龙

    以(Ba(0.6)Sr(0.4))TiO_3为基质,掺杂Y三价施主元素及AST,选用最佳烧制工艺,制成了具有较低室温电阻率及较优电阻温度系数的低居里点(~0℃)突变型PTC材料。研究了材料的阻温特性与各种工艺条件以及室温电阻率与掺杂量的关系。

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  • 用流延法生产优质A1_2O_3陶瓷基板

    姚晓明

    讨论了流延法生产A12O3陶瓷基板中影响厚度公差、表面粗糙度和产生干燥缺陷的各种因素,提出改进的措施与途径。从而稳定地大批量生产无缺陷的优质A12O3基板。

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  • 柱状电阻器用玻璃釉浆料及其稀释剂

    李同泉

    柱状电阻器用玻璃釉浆料及其稀释剂昆明贵金属研究所李同泉1前言玻璃釉柱状电阻器,电气性能优良,已得到广泛的应用。其使用的电阻浆料一般为钌酸盐电阻浆料。电阻浆料粘度比较大,在使用时,电阻浆料要与稀释剂,以质量比例1:1左右混合均匀,旋涂于氧化铝柱体上。在...

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  • 西安交通大学电气技术工程公司

    西安交通大学电气技术工程公司自动连续式高温立式炉我公司研制生产的LSL系列自动连续式高温立式炉,适用于PTC热敏电阻、ZnO压敏电阻及陶瓷电容器等元件的生产及研究领域。现已在多家工厂及科研单位使用。该炉产量大、节能且操作方便,在电子陶瓷领域有良好的应...

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  • 双功能熔断电阻器

    石永杰

    系统扼要地介绍在线路中对过负荷起保护作用,且具有通用电阻器功能的熔断电阻器的类型和要求,并提出熔断电阻器的发展方向。

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  • 片式电阻器及其所用的电子浆料

    周吉生,李著,周蓉

    介绍片式电阻器尺寸变化及使用不同电极材料引起的方阻、电阻温度系数的变化。还介绍了几种实用于片式电阻器的电子浆料。

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  • MLC银端电极浆料的研究

    傅俊川

    用光亮超细导电银粉、玻璃料粉和有机粘合剂等制成浆料。经浸涂、干燥、烧成形成多层瓷介电容器的端电极。试验结果表明,本浆料达到引进线的工艺技术要求和端电极专用浆料的标准要求;各种技术性能良好,可与进口的美国同类浆料媲美。

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  • 叠层式片状电感器的设计

    万纯人

    采用铁氧体材料和多层厚膜印刷技术,把铁氧体膜片和导电浆料相间印刷、叠合起来,经过热压、切割,烧制成一体化的闭磁路螺旋管状磁芯线圈,具有矩形微型、封闭磁路、独石结构的特点。

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  • 合理利用钽粉制造系列钽电容器

    李春光

    国内电容器生产厂家在制造钽电容器时,通常是根据钽电容器的工作电压来选择对应电压的国产钽粉的。本文以九○五厂生产的FTW120钽粉为例,通过改变烧结条件的实验,生产出不同工作电压系列的产品,来论述使用同一种规格的钽粉制造不同工作电压的电容器。这样既方便于电容器的生产组织和管理,同对,也利于钽粉制造厂稳定工艺,提高技术。文中给出了电容量-烧结温度曲线。

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  • 铝电解电容器的温度加速因子

    谢艺

    采用温度作为铝电解电容器寿命加速因子,通常根据“10℃法则”或“7℃法则”计算。作者通过对63V-47μF铝电解电容器在四种不同温度下的负荷试验(+85℃、+95℃、+105℃、+115℃)后对数百只样品、数万个测量数据进行了处理分析。认为单纯地使用“10℃法则”或“7℃法则”不能准确地描述温度加速因子。作者结合铝电解电容器的结构,分析了铝电解电容器的失效因素,给出了负荷试验中温度与铝电解电容器寿命的关系。

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  • MOD-SnO_2酒敏元件研制

    林海安,吴冲若,邱洁真

    采用金属有机物热分解(MOD)法制备了SnO_2酒敏元件,XRD和AES谱表明热处理后己酸亚锡已转化为SnO_2。此外还证实SnO_2元件的内电势是加热丝偏位引起的热电势。元件的主要技术指标为:灵敏度>8,选择性>6,响应时间<5s,恢复时间<30s。

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  • 高方阻浆料中功能相材料的选用

    张代瑛,苏功宗

    介绍二氧化钌、钌酸铋、钌酸铅、钽钌酸铅的合成条件,以及它们在高方阻浆料中的性能特征。通过实验对比,钌酸铅及钽钌酸铅是性能优良的高阻浆料功能相材料。

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  • 采用扩散掺铝方法提高Cr-SiO薄膜电阻热稳定性

    王爱云

    采用扩散掺铝方法可以显著降低Cr-SiO薄膜电阻的温度系数,1~5kΩ/□,TCR≤±500×10(-6)℃(-1);10kΩ/□,TCR≤±100×10(-6)℃(-1)。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。

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  • 降温速度及气氛对PTC元件特性之影响

    朱卓雄

    通过工艺试验,研究了BaTiO3陶瓷PTC材料在烧成过程中的冷却速度及烧成气氛对其PTC特性之影响。试验结果表明:采用适当的缓冷速度及氧气氛烧成可大大提高材料的PTC特性,αT、R(200)/R(min)明显增大,室温电阻达45Ω左右。所制元件与日本样品性能相近,完全能满足开关型元件的要求。

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  • SiO_2对ZnO压敏电阻器性能的影响

    陈洪存,陈玲,肖鸣山

    实验研究了SiO2对ZnO压敏电阻器性能的影响,在ZnO陶瓷中,添加适量的SiO2可以提高压敏电阻器的α值和电压梯度,降低漏泄电流,提高通流量,能够制造出性能优异的ZnO压敏电阻器。

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