刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 我国接插元件的发展现状与前景

    刘洪扬

    我国接插元件工业近十年平均发展速度达19.9%。1990年接插元件年产量达9亿只以上,销售收入和利税总额占电子元件业的30%以上。到2000年接插元件年产量预计达40亿只,主要技术水平达先进国家80年代末期水平。作者对今后应采取的发展政策提出了建议。

    1992年04期 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 355k]
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  • 量方程与数值方程

    <正> 科学技术中使用的物理方程可分为两类:反应物理量之间关系的量方程,反应数值之间关系的数值方程。 按量和单位正规的表达式,可得: A={A}·[A] (1) 式中:A为某一物理量的符号,表示其量值:[A]为某一单位;{A}为以单位

    1992年04期 3页 [查看摘要][在线阅读][下载 43k]
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  • 国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅳ.全面溶解的抑制

    卢江,曹婉真,徐友龙

    通过对各级工艺环节处理前后铝箔厚度变化的测量,发现全面溶解产生于两级电化学处理,第一锻电化学处理厚度变化30μm左右,第二级电化学处理厚度变化10μm左右。用氢氧化钠调节第一级电化学处理液的酸度,在氢氧化钠含量大于46g·L~(-1)时,第一级电化学处理不再发生全面溶解。由铬酸盐转化膜的性质出发,中硝酸处理前对转化膜进行加热改性处理,使第二级电化学腐蚀不再发生全面溶解。对盐酸+硫酸、盐酸+硫酸+氟化铵,盐酸+硫酸+铬酸酐、盐酸+硫酸+铬酸酐+氟化铵溶液对铝箔的溶解速率的测定,发现铬酸酐的加入使溶解速率比盐酸+硫酸溶液大80倍左右,而氟化铵的加入仪提高6~9倍,即铬酸酐是最重要的影响因素。

    1992年04期 6-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 676k]
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  • 双联正余弦函数碳膜电位器的研制

    沈一骑,严红

    介绍了一种正余弦函数电位器的计算方法,据此设计和试制了双联正余弦函数碳膜电位器,以用于电子束装置扫描光栅的坐标变换。一该电位器具有四个动接点,可以同时输出两组正余弦函数电位值,并具有体积小、精度高、成本低、工艺简单等优点。可以派生出多种形式,形成正余弦函数碳膜电位器的产品系列。

    1992年04期 10-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 309k]
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  • MJ-2型热笔的研制

    李宏国

    我们研制成功的一种新颖记录笔,具有热响应快、耗电省、使用寿命长、体积小、记录线条清晰等优点,应用越来越广泛。本文介绍MJ-2型热笔的构造、研制材料的选择和研制工艺,并讨论该笔的基本特性。

    1992年04期 15-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 428k]
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  • BaTiO_3基陶瓷电容器老化规律及其预测方法

    陈敏

    以BaTiO_3基陶瓷电容器老化机理为据,定量地研究了老化规律,给出了能直接运用于实际的老化常数测量和计算方法。在此基础上,开发了计算老化常数、预测老化规律的应用软件。并通过对284、2E4、2F4电容器的老化规律实验,证明该计算方法与实际相符。同时,给出了上述几类产品的典型老化常数及老化规律曲线。

    1992年04期 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 247k]
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  • 表面层半导体陶瓷电容器材料的研制

    郭小渝,刘云书

    在(Ba_(1-x)Nd_(2x/3)□_(x/3))TiO_3系固溶体中(其中Nd也可以是Pr、Dy、Sm、Gd中的一种)添加Mn的氧化物,可制得表面层半导体陶瓷。该陶瓷经适当选择组成,并在合理的条件下加以处理,可制得单位面积容量为0.1~0.27μF/cm~2,击穿电压达500V左右的半导体陶瓷电容器。

    1992年04期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 200k]
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  • ZnO颗粒度对ZNR中添加剂分布的影响

    吕文中,王士良,王红玲

    研究了ZnO主体料颗粒度对氧化锌压敏电阻(ZNR)中添加剂分布的影响及由此带来的性能的变化。随ZnO颗粒度的增加,ZNR中添加剂Bi、Sb在晶界中分布更加不均匀,ZnO晶粒中元素Co的含量也增加,因而造成ZNR的大电流特性变差。

    1992年04期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 350k]
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  • 用热处理法调整PTC元件的阻值

    张喜哲,何青,郜长福

    研究了通过热处理来调整PTC元件阻值的方法。当电阻编低时,在空气中进行热处理会使阻值增高,而且使元件的其它性能有所提高。而当电阻偏高时,则可在真空状态下进行热处理。但此时会在某种程度上引起其它性能的下降,故使用此法时必须注意保证元件的整体性能。

    1992年04期 30-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 223k]
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  • 喷雾造粒法制备中高压电容器瓷料

    熊兆贤,车长针,曾文臻,丁马太

    讨论了采用国产高速离心喷雾干燥机批量生产低损耗中高压陶瓷电容器用瓷料时,瓷料种类、生产瓷料的工艺条件(粘合剂、水含量、喷头转速、热风温度和进料量等)对瓷料的物理性能(流动性、湿度、松装密度、粒径及其分布等)的影响及其最佳工艺参数。

    1992年04期 33-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 344k]
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  • 国产阴极铝箔腐蚀工艺的探讨

    何维满

    铝电解电容器用阴极铝箔的腐蚀工艺往往受铝箔本身的组织成分以及生产设备制约,影响阴极铝箔腐蚀比容的因素是多方面的。着重研究了国产阴极铝箔的腐蚀特性,找到了一套能使国产阴极铝箔与引进设备相适应的新工艺,使国产阴极铝箔的腐蚀此容由原来的260μF/cm~2提高到370μF/cm~2,实现了阴极铝箔的国产化。

    1992年04期 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 198k]
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  • 检测MLC缺陷的一种新方法

    王晓虹,方湘怡,姚熹

    用热刺激电流法(简称TSC法)直接检测MLC中的微细缺陷,即试样(如钛酸钡基和铌镁酸铅基MLC)分别经过水、甲醛和甲醇处理,根据液体处理前后样品的TSC谱的变化特征来判断样品中有无缺陷。大量的实验证实了用TSC法来检测MLC中的裂缝、分层和开口气孔等缺陷是行之有效的。

    1992年04期 41-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 241k]
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  • 片式电阻器阻值命中率的研究

    吴炜

    片式电阻器在生产中多次印刷、烧结,使其发生工序阻值变化,影响产品最终的阻值命中率。本文通过对电子浆料和工序因素的分析,设计了先行试验方案,提出了工序中应控制的因素,为片式电阻器生产过程控制、提高阻值命中率提供了依据。

    1992年04期 45-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 464k]
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  • 影响固体钽电容器性能及可靠性的因素分析

    祝松龄

    本文就影响固体钽电容器性能及可靠性的因素作分析和探讨,并用试验数据和图片加以验证说明。

    1992年04期 52-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 348k]
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  • 简论国军标《混合微电路总规范》

    杨红

    国军标《混合微电路总规范》突出了混合微电路的特点,有严格的生产线认证、鉴定程序和详尽具体的质量工艺控制规定,完善了质量保证评定程序。它为军用混合微电路研制单位提高产品质量和可靠性水平提供了保证。

    1992年04期 57-60+56页 [查看摘要][在线阅读][下载 394k]
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