刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 国外军用片式阻容元件的进展

    戴富贵

    本文叙述了国外军用片式阻容元件的发展概况,从生产和技术上总结了片式阻容元件的特点,指出了其发展趋势。

    1992年03期 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 393k]
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  • 叠层PTC热敏电阻器研制动向

    薛泉林

    采用同种材料制成的叠层PTC热敏电阻器,由于构成并联结构,使电阻降低,有助于低阻化。采用两种不同性能组别的材料制成的叠层结构,可获得过去没有的良好线性化特性,可望扩大其用途。本文根据专利文献介绍了国外叠层PTC热敏电阻器研制动向。

    1992年03期 6-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 300k]
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  • 多层压电陶瓷滤波器和片式陶瓷谐振器

    万为民

    本文叙述了多层压电陶瓷滤波器和片式陶瓷谐振器的新型结构,选用的基体及电极材料,主要制作工艺,性能及应用领域。

    1992年03期 11-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 270k]
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  • 表面组装用的印刷电路板设计要点

    韦文兰,何如莲,顾霭云

    探讨了表面组装中的组装方式、贴片方式和印刷电路板设计要点,提出了一些设计规范及工艺要求。

    1992年03期 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 225k]
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  • PZT-BF-MCX系压电陶瓷的烧结和电性能

    江迎鸿,熊茂仁,陈旭明,赵子衷

    研究了Pb(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为PCN)、Pb(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为PCW)、 Sr(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为SCN)、Sr(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为SCW)、Ba(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为BCN)及Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为BCW)第四组元(简为MCX)对低温烧结的PZT-BF-MCX(其中PZT为Pb(ZrTi)O_3,BF为BiFeO_3)系压电陶瓷的烧结和电性能的影响。发现PCW的降温效果最好,BCN的综合改性效果最佳。所获得的最佳配方可在950℃下烧成,其主要性能已达到或接近我国医用超声压电陶瓷材料专业标准(ZBC《医用超声压电陶瓷材料》(送审稿),1990年12月广州会议通过)中规定的发射型材料要求。

    1992年03期 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 522k]
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  • 提高陶瓷电容器可焊性的新方法

    吕锦树

    研究成功一种新的采用弱酸性电镀溶液的电子元件镀锡工艺。采用这种工艺对已包封成型但引线可焊性不合格的圆片陶瓷电容器进行电镀处理,可以使引线重新具有优良的可焊性能,并保证电容器的性能不受影响。本文介绍了这一新工艺的原理、工艺过程及电镀前后电容器的性能对比。

    1992年03期 22-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 356k]
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  • 国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅲ.扩面处理技术的探索

    卢江,曹婉真,徐友龙

    对现有国产高纯铝箔(丹东LG5Y)的扩面处理技术进行了多方面的探索,力求解决国产箔在电蚀处理过程中低发孔率及初始引发出的蚀孔分布不均匀的难题。给出了LG5Y箔在盐酸、盐酸+硫酸,盐酸+铬酸酐,盐酸+硫酸+铬酸酐,盐酸+硫酸+铬酸酐+氟化铵溶液中进行电化学处理后表面积的扩大情况。讨论了高立方织构含量的铝箔在这些溶液中蚀孔的引发和隧道的生长机理、表面积大幅度扩大的原因以及存在的问题,为把电化学转化膜成功地用于高立方织构含量铝箔的隧道型扩面处理奠定了实验基础。

    1992年03期 26-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 385k]
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  • 小型精密金属化聚丙烯电容器的研制

    李清明

    本文介绍了研制小型精密金属化聚丙烯电容器的经过、产品的结构、基本性能、关键问题的处理和产品的性能试验。并指出该品在通信设备和精密仪器中的应用前景。该品已于1990年获国家专利。

    1992年03期 31-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 294k]
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  • 聚合物电阻浆料的研究

    高官明,武新荣

    采用环氧-酚醛-缩醛改性复合粘结剂,导电材料用不同粒度和结构的碳黑,配制出的浆料对氧化铝等刚性基片有较大的附着力。同样可用树脂类柔性材料作基板,解决了浆料固化膜硬而脆、热老化性能差等问题,使固化膜形成一种致密的体型网状枝链,印刷膜层平滑,电性能一致。浆料的固化温度为170~250℃,固化时间为0.5~6h,能获得较好的电性能。

    1992年03期 35-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 340k]
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  • CARTS’93开始征文

    赵光云

    <正> 国际第13届电容器和电阻器技术会议(简称CARTS’93)系由美国电子元件技术学会主办,跨国电气电子工程师的元件、混合电路和制造技术专业学会(IEEE-CHMT)协办。 第13届CARTS将于1993年3月8日至11日在美国加里福尼亚州Costa Mesa的South

    1992年03期 40页 [查看摘要][在线阅读][下载 58k]
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  • 超大规模集成电路和微组装技术

    宋长江,刘秀全,张俊超,田树英

    本文研究了在多层陶瓷基板上利用硅作为衬底的硅-硅包装技术。这种硅-硅和多层陶瓷基板的微组装技术,可以消除IC芯片与衬底之间的热失配。同时可充分利用硅IC技术进一步细线化。随着ASIC、BiCMOS、VLSIC的迅速发展,将使今后的封装及微组装向多腿及小问距方向发展。

    1992年03期 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 238k]
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  • 制作高频数字互连线的铜厚膜多层技术

    任敬顺

    利用厚膜技术获得了具有六层铜导体的实验电路,使制备阻抗为50Ω、带宽2~3GHz的细线成为可能。线路的导体宽度达100μm,介质层46~50μm,电路信息量可达600Mbit/s。

    1992年03期 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 508k]
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  • 一种新型高温聚合物多层电容器

    史坤蓉

    本文介绍了以聚丙烯酸酯作介质,采用连续高速真空工艺所生产的聚合物多层电容器(PML)的材料、工艺及性能。该电容器在300℃以上仍具有热稳定性,薄膜无气孔,具有稳定的电气性能。其薄膜厚度在0.3和1.0μm之间,层数为1000~5000层之间。电容器具有高比容,且适宜表面安装。

    1992年03期 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 158k]
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  • 低烧高频多层陶瓷电容器工艺改进

    俞子华

    以低烧高频多层陶瓷电容器为例,分析比较了原国产线和引进线的工艺和原材料消耗,论证了采用引进线来生产原国产线产品的可能性和必要性。并通过工艺试验进一步证明了转线生产的可行性。由于新线采用了流延浇注成膜工艺,不但可节约原材料60%以上,且产品的容量命中率、工艺一致性及电性能均有提高:绝缘电阻R_i>10~(11)Ω,tgδ<10×10~(-4),>kV,α_c<60×10~(-6)·℃~(-1)。

    1992年03期 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 152k]
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  • 杜邦9500系浆料的特性研讨

    宋兴义

    杜邦9500系浆料含有机载体31%~33%,对烧结温度和重复烧成不敏感。

    1992年03期 53-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 153k]
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  • 固体钽电容器损耗变化的原因及工艺改进

    谢艺

    作者在研制非密封超小型固体钽电解电容器中,发现试制的50V/2.2μF样品在常温储存一段时间后,损耗明显上升,损耗角正切值变化极大,已影响产品的使用。经过一系列试验和分析,找出了损耗角正切值变大的内在原因。改进生产工艺后,试制出的50V/2.2μF样品的损耗角正切值不变,电性能稳定。

    1992年03期 55-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 214k]
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  • ZBN-NBN系低温高频瓷料在MLC引进线上的应用

    李怀新

    本文介绍了ZnO·Bi_2O_3·Nb_2O_5-Ni_2O_3·Bi_2O_3·Nb_2O_5系(简称为ZBN-NBN系),温度系数0±60×10~(-6)/℃的瓷料,在MLC引进线上应用过程中所存在的问题,解决问题的方法及取得的成果。

    1992年03期 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 375k]
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  • 压电陶瓷换能器技术标准的共性问题

    张耕夫,何雅芬

    针对国内压电陶瓷换能器品种繁多,应用广泛又缺乏通用技术标准的现状,参照近几年内国家颁发的电子设备用压电陶瓷滤波器技术规范,分析了压电陶瓷换能器的类型和主要技术要求,提出了压电陶瓷换能器型号命名法和主要技术性能试验方法的建议,并从生产和使用角度,提出了产品检验规则,以确保产品性能合格。笔者认为,为满足生产、使用和维修等单位的需要,国家应该尽快编制压电陶瓷换能器总规范。

    1992年03期 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 229k]
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