- 章士瀛
本文介绍对日、美12家公司、23个工厂、8所研究机构的考察概况。重点介绍片式电子元件近几年来的发展情况。
1992年01期 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 315k] [下载次数：71 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：54 ] - 张经国
本文介绍了90年代混合集成电路的市场和应用趋势,高级混合集成电路的概念,多芯片组件以及混合集成电路工艺和材料的主要发展动向。
1992年01期 6-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 320k] [下载次数：40 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：73 ] - 赵光云
<正> 中国电子学会电子元件学会第七届学术年会暨第五届委员会于1991年10月14日至19日在西安召开。 10月14日至17日开第七届学术年会。参加会议的有电子元件学会名誉主任委员陈克恭,主任委员董贻中,副主任委员章士瀛、吴元生、张熙、季恒宽、杨邦朝,秘书长赵光云以及学会新老委员、名誉委员、团体会员、地方学会代表、特邀代表和论文作者等224人。董贻中主任委员致开幕词。组织工作委员会卜寿彭主任在会上宣布了中国电子
1992年01期 11-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 141k] [下载次数：11 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：142 ] - 吴明芳,刘铭
根据电镀基本原理和实践,提出了科学实用的电镀工艺条件。详细分析并指出了影响MLC三层膜电镀质量的十大因素,探讨了产生质量问题的原因和解决问题的方法。电镀设备对电镀质量有直接影响,使用VB-6型振动吊篮能提高电镀的均匀性和可靠性。
1992年01期 13-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 496k] [下载次数：45 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：77 ] - 胡嵊生,龙晓琴
本文着重讨论了配方和烧成工艺对PTC消磁热敏电阻之电阻温度系数(α)的影响,并探讨了在目前使用国产原材料的情况下,如何通过改变配方中的掺杂量和调整烧成工艺来达到提高α和降低残余电流的目的。
1992年01期 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 198k] [下载次数：41 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：105 ] - 程阜民
<正> 日本冲电气工业公司和新日本制铁公司共同开发超精细丝焊技术,同时开发直径10μm的超精细焊丝。该技术开发成功,可将焊接间距从现在的100μm左右减至40μm,更好满足
1992年01期 23页 [查看摘要][在线阅读][下载 52k] [下载次数：29 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：52 ] - 谢廉忠,李卓英
丝网印刷铜浆料,用氮气保护烧成,用1mm×400mm蛇形线测方阻,0.3mm×20mm直线作可焊性试验。铜导体方阻为1.53mΩ/□,附着力>50N/4mm~2,可焊性<1s,抗焊料浸蚀性>30次,键合能力分别为0.1N、0.15N、0.063N。
1992年01期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 138k] [下载次数：113 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：63 ] - 张代瑛
,李同泉
,苏功宗
,陶文成
研究高阻浆料掺入BaTiO_3,改善电阻对烧成温度的敏感性,并使电阻的TCR、噪声、稳定性达到较好水平。
1992年01期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k] [下载次数：39 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：135 ] - 蔡文永,蔡盟
研制成一种配方简单、工艺稳定、重复性好的2F4-15000低频瓷料。其ε_r 15000,V_(DC)≥5V/μm,tgδ≤0.01,△C/C符合2F4组的要求。已用该瓷料制成20kV,φ12mm,2000pF和15kV,φ9mm,1000pF的高压瓷介电容器。
1992年01期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 261k] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：76 ] - 程阜民
<正> 日本电气公司与中国首都钢铁公司最近已正式签约在北京兴建IC合资生产厂,合资公司称为首钢日电电子有限公司,总投资约260亿日元,预计1993年完工。用线宽2μm的微细
1992年01期 32页 [查看摘要][在线阅读][下载 107k] [下载次数：11 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：51 ] - 段仁官
通过实验探讨了在干压成型时,不同的成型压力、加压方式和加压时间对瓷介电容器性能的影响。
1992年01期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 148k] [下载次数：67 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：61 ] - 卢江,曹婉真
本文针对目前国内中高压铝电解电容器用国产阳极箔的生产情况,较系统地介绍了对铝箔适应性较强的应用电化学转化膜促进结晶化高纯铝箔隧道腐蚀的基本原理,并对应用此方法的主要技术给予了讨论。
1992年01期 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 168k] [下载次数：140 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：109 ] - 孙文通
碳膜电位器端头一般用银导电浆料,以微细片状银粉作导电相。本文的研究工作试图以铜代替部分银,并根据碳膜电位器端头导电性及表面光泽度的要求,适当调整铜扣银含量的比例,通过大量的实验,给出了最佳条件。
1992年01期 37-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 213k] [下载次数：98 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：105 ] - 张永忠
RIG超高阻片式厚膜电阻器用96％Al_2O_3基片,高阻浆料以钌酸盐作导电相,烧成温度850℃,烧成周期60min,阻值在1GΩ以上。开发产品主要用于传感器及以场效应管为输入级的高内阻放大器中。
1992年01期 40-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 89k] [下载次数：48 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：59 ] - 1992年01期 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 47k] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：63 ]
- 童岗
本文叙述了合成碳膜电位器子浆料的标称阻值系列的改进,以及利用计算机辅助设计(CAD)绘制新的子浆料配比曲线的方法。利用此曲线指导浆料配制,较原工艺,阻值命中率大大提高。
1992年01期 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 163k] [下载次数：21 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：74 ] - 林飞
本文从开关电源的基本原理出发,分析了影响开关电源性能的各种因素,对滤波电容器在电路中的作用作了探讨,并提出了改进设想和解决措施。
1992年01期 44-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 336k] [下载次数：199 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：74 ] - 张喜哲,何青,吕云成
本文介绍了散热片式PTC器件的结构、原理、制造技术及其相应的理论根据。
1992年01期 49-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 242k] [下载次数：54 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：60 ] - 高西汉,高锦秀
本文介绍了利用脉冲电压对铝电解电容器进行老练的方法和试验结果。结果表明:一定的脉冲电压老练方法和程序可使老练时间缩短为1h,漏电流常数小于0.001s~(-1)。
1992年01期 52-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 211k] [下载次数：70 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：66 ] - 彭苏娥
收集了全国6个省份144075台时、1.359144×10~8元件小时的机载电子设备可靠性数据,计算了该设备中各类电子元件的现场可靠性水平,分析了其失效模式和机理,探讨了机载环境条件对电子元件的影响。通过本文的分析,可为机载电子设备研制、生产、使用、维修单位合理选用电子元件,提高整机设备的可靠性提供有用信息,同时也为电子元件研制,生产单位在产品设计、工艺控制、制造过程中控制和消除产品的失效模式,提高电子元件产品的固有可靠性提供参考数据。
1992年01期 55-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 178k] [下载次数：78 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：63 ] - 程阜民
<正> 日本三菱电机生产技术研究所最近开发成Cu导体陶瓷基板,采用该基板制成大功率组件的寿命比原用基板提高10倍以上。由于它是将氧化钼箔夹在钢导体之间制成的,散热性能
1992年01期 57页 [查看摘要][在线阅读][下载 74k] [下载次数：41 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：66 ] - 易德兴,李政友
本文探讨了国产军用有机实芯电阻器经耐焊接热试验和引出端强度试验后阻值漂移失效机理,弄清了失效原因。采取改变引线端头尺寸、控制填料的粒度和均匀性等一系列切实有效的工艺改进措施,提高了产品的性能,使产品的引出端强度和耐焊接热性能迟到了美国军用标准MIL-R-11F的要求。
1992年01期 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 621k] [下载次数：63 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：128 ] - 1992年01期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 57k] [下载次数：12 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：63 ]
- 胡百岁
介绍一种片式厚膜熔断电阻器膜层熔断区域的形状,当功耗增加到4W时,电阻体中心的温度;电阻膜层所用材料;压变效应;并讨论这种电阻器的稳定性。
1992年01期 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 132k] [下载次数：37 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：83 ] - 1992年01期 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 35k] [下载次数：26 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：73 ]
下载本期数据