刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 电容器的发展方向

    曲喜新

    本文用电容器方面已取得的进展为佐证,指出并论述了电容器的三个发展方向。

    1991年03期 1-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 568k]
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  • 《著作权法》简介(一)

    <正> 《中华人民共和国著作权法》1990年9月7日通过,自1991年6月1日起施行。立法目的:保护文学、艺术和科学作品作者的著作权以及与著作权有关的权益,鼓励有益于社会主义精神文明、物质文明建设的作品创作和传播,促进社会主义文化和科学事业发展与繁荣。著作权法适用的保护范围:我国公民、法人或非法人单位的作品;外国人首先在我国境内发表的作

    1991年03期 7页 [查看摘要][在线阅读][下载 89k]
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  • 大力加强精细陶瓷的基础研究和应用开发——参加1990年日本陶瓷学会年会的体会

    毛祖佑

    本文概述了1990年日本陶瓷学会论文中有关精细陶瓷的最新研究成果和研究方法。报道了金属醇盐水解法制备瓷料微粉技术、使瓷料粉体组成分布均匀的干湿混合法和使粉体平均粒径达0.2μm的超微粉碎等合成粉碎新技术,激光厚膜烧结和独石电容器用异种瓷料交互叠片改进容量温度特性等技术。说明日本陶瓷界在研究手段、粉体制造及分析方法诸方面都体现出精、细的高度,走在世界陶瓷界的前列。

    1991年03期 8-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 743k]
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  • 射频磁控溅射原位制备高Tc钇钡铜氧超导薄膜

    顾爱国,罗维根

    用粉末靶射频磁控溅射的方法在650℃的(110)SrTiO_3衬底上成功地原位制备出起始转变温度96K,零电阻温度88.2K,用约0.4mm宽的桥在77K零磁场下临界电流密度达6×10~5A/cm~2,高度定向的钇钡铜氧超导薄膜,膜的厚度为0.22μm。发现控制溅射工艺参数并在溅射后进行原位热处理是获得高T_c超导薄膜的关键。

    1991年03期 13-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 232k]
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  • 用还原氮化法制备氮化铝粉末

    翁履谦,黄栋生

    研究了用还原氮化法制备氮化铝(AlN)粉末的过程。用XRD、DTA等手段确定了氮化反应的开始温度,并从热力学角度进行了讨论。通过实验研究了氮化速率。对制备出的AlN粉末性质进行了观察和检测,其结果表明所获AlN粉烧结性能良好、纯度高、颗粒微细。

    1991年03期 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 344k]
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  • LC滤波线路用配对瓷介电容器的研制

    蔡文永,蔡盟

    通过配方试验优选出以Sr~(2+)和Sn~(4+)为移峰剂的BaTiO_3基介质材料,制成φ?14mm,总厚度约1.0mm的配对瓷介电容器,每片的电容量约为3000pF,tgδ≤0.01,U_(DC)≥2000V,在-10~+80℃的范围内,ΔC/C_(22℃)在+0.86%~-11.8%之间,而且配对性能相当好。

    1991年03期 20-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 179k]
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  • 用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅微粉

    周歧发,邝安祥

    采用丁醇钛,自制乙醇锆和醋酸铅原料,按四方相组成Zr:Ti=51:49,用溶胶-凝胶法成功地制备出锆钛酸铅超微粉末。用DTA、XRD及原子发射光谱等对粉末特性进行了分析。实验证明该粉末具有超细、高纯及合成温度低等优点。

    1991年03期 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 307k]
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  • 使用法定计量单位易出现的差错

    1991年03期 26页 [查看摘要][在线阅读][下载 138k]
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  • γ-Fe_2O_3气体传感器稳定性的研究

    毛洪光,王恩信

    在370~650℃温度下,γ-Fe_2O_3会不可逆地相变为α-Fe_2O_3。本文讨论了影响γ-Fe_2O_3稳定性的主要因素,提出了相应的解决方法。

    1991年03期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 201k]
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  • 轻触开关系列产品投入批量生产

    王湘惠

    <正> 国营宏明无线电器材总厂在引进日本ALPS公司设备和技术基础上开发研制出轻触开关系列产品。该产品广泛用于彩电、录像机、组合音响、高档收录机、计算机、通讯机、电话传真机等电子整机。该产品已通过省级鉴定。专家们一致认为该产品体积小、结构紧凑、手感好、适应

    1991年03期 29页 [查看摘要][在线阅读][下载 67k]
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  • 厚膜电阻的激光调整和图形设计

    朱炳林,王家新

    从膜电阻图形的最小宽度出发,给出了设计、调整矩形和帽形膜电阻的计算公式。在工程应用范围内,理论计算与实验结果相当一致。

    1991年03期 30-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 254k]
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  • DZ1荧光灯电子镇流器

    王湘惠

    <正> 国营宏明无线电器材总厂自行研制的荧光灯电子镇流器已通过省级鉴定。该产品以获国家发明专利的厚膜电路为核心,进行优化设计,具有独特的灯丝预热、启辉及抗异常状态失效的电子电路。与老式电感镇流器相比较,具有光效高、功率

    1991年03期 34页 [查看摘要][在线阅读][下载 53k]
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  • 超小型径向固体钽电容器的研制

    刘志亮

    以大量试验数据、产品特性曲线图和表,说明了该产品结构设计合理。它以优良的电性能、小体积、很高的体积比容问世了。它以很好的可靠性能服务于航空航天事业。

    1991年03期 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 220k]
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  • 碳膜低阻浆料在电位器中的应用

    赖龙君

    研究了合成碳膜电位器的低阻浆料,认为这种浆料不但可用于碳膜电位器低阻产品的制造,并且还可通过单层或多层印刷的方式代替银浆料作电位器的电极材料。

    1991年03期 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 255k]
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  • GR1417型标准四端电容

    王火忠

    美国GenRad有限公司生产的GR1417型标准四端电容,其电容量可调,最小为1μF,最大为1F,精度达0.25%。其尺寸却只有21.5cm×14.7cm×13.2cm,损耗角正切值仅为0.01,损耗角正切值的误差为±0.001。它用于四端测量,也可用于二端测量。本文为《GR1417型标准四端电容》4原理部分的译文。译文概括地介绍了GR1417型标准四端电容的构造、性能、用途,较详细地介绍了它的原理及影响其性能的各种因素,并提及制作中的有关注意事项。

    1991年03期 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 216k]
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  • 热印头的结构、制造工艺和特点

    李宏国

    热印头是近二十年来发展起来的一种新型记录工具,主要用在热记录仪中。本文介绍厚膜、薄膜、半导体三种热印头的结构及其制造工艺和特点。

    1991年03期 44-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 195k]
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  • 复合锌铝金属化薄膜简介

    冯锦华

    采用复合锌铝金属化聚丙烯薄膜的电容器在交流高压大电流下工作,容量和损耗几乎无变化,高可靠、长寿命、大容量交流电容器使用复合锌铝金属化膜是发展趋势。

    1991年03期 47-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 152k]
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  • 辊轧技术在钌系电阻浆料中的应用

    陶文成

    对电阻浆料辊轧前后的表观性能和电性能进行了比较。三辊轧机有利于电子浆料的批量生产。辊轧技术提高了电子浆料的致密性、均匀性、分散性,更加适宜丝网印刷。

    1991年03期 49-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 231k]
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  • 具有电容器和压敏电阻器双重功能的独石器件

    万为民

    国外已制成具有电容器和压敏电阻器双重功能的独石器件。其容量为1μF;在1~100kHz,损耗角正切小于0.05。在电压大于阈电压(V_0)约15V的情况下,器件传导电流I=AV~α;非线性指数α为11.4。该器件可用于电子设备的保护,以防止电压脉冲。适当的电容器和压敏电阻器的组成具有相同的烧结温度。可在900~1350℃烧结制成独石器件。

    1991年03期 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 190k]
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  • 新型高精度热敏元件通过技术鉴定

    王鹏程

    <正> 我厂受电科院委托,于1988年着手研制的高精度厚膜热敏电阻,于1991年3月在电子科大恽正中教授的主持下通过技术鉴定。该热敏元件经中国测试技术研究院测

    1991年03期 53页 [查看摘要][在线阅读][下载 63k]
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  • 用失重法研究铝电解电容器的寿命特性

    林学清

    本文通过非固体电解质铝电解电容器的电解液的失重率ΔG/G与ΔC/C、tgδ、ESR等电气参数的关系来分析它的寿命特性、特性分布和恶化机理。

    1991年03期 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 195k]
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  • 彩电用高压铝电解电容器失效机理的初步分析

    朱泳中,赵学武,吴亮成

    分析了彩电用高压铝电解电容器的失效模式、失效原因,提出了几点建议。

    1991年03期 57-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 270k]
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  • 磁控溅射工艺和热处理规范对Ni膜电阻率的影响

    张随新,陈国平

    用平面磁控溅射技术在不同衬底上制备了多晶Ni薄膜。研究了放电电流、衬底表面粗糙度及沉积后的退火处理对Ni膜电阻率的影响。用X射线衍射分析了膜的结构。

    1991年03期 60-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 122k]
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  • 新型消磁热敏电阻器顺利通过中试

    王鹏程

    <正> 在消化吸收TDK引进技术的基础上,我厂自行开发的MZ75型消磁用PTC热敏电阻器,经过三个月的中试批量生产验证,其耐电压、平衡电流安全性等主要性能均达到日本TDK株式会社陶瓷事业部和村田制作所1989年同类产品的水平。从而满足了夏

    1991年03期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 58k]
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  • 中高压陶瓷电容器国产化应注意的几个问题

    万荣根,陈寿田

    质量不稳定和早期失效率较高是国产中高压陶瓷电容器目前存在的主要问题。要完全实现该产品的国产化,应从原料质量、烧块游离氧化物控制及合成工艺、材料粒度、被银留边量及早期失效几方面重点研究。

    1991年03期 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 195k]
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  • 日本薄膜的性能

    戴富贵

    1991年03期 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 61k]
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