刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 记我国举办首届国际电子元件与材料学术会议

    <正> 概况1989年11月7~10日在我国北京举办了首届国际电子元件与材料会议(ICECM)。会议由中国电子学会(CIE)、电子元件学会(ECS)和跨国电气电子工程师学会

    1990年05期 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 495k]
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  • 记我国举办首届国际电子元件与材料学术会议

    <正> 概况1989年11月7~10日在我国北京举办了首届国际电子元件与材料会议(ICECM)。会议由中国电子学会(CIE)、电子元件学会(ECS)和跨国电气电子工程师学会

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  • 压敏电阻器工业的关键技术

    张南法

    发展氧化锌压敏电阻器应抓好大生产技术、测试评价技术和应用技术。生产技术关键是解决瓷料配方和瓷体均匀性,即掺杂配比及添加杂质的均匀分布问题。测试评价包括陶瓷特性、电特性、稳定性和可靠性几个方面。

    1990年05期 6-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 441k]
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  • 压敏电阻器工业的关键技术

    张南法

    发展氧化锌压敏电阻器应抓好大生产技术、测试评价技术和应用技术。生产技术关键是解决瓷料配方和瓷体均匀性,即掺杂配比及添加杂质的均匀分布问题。测试评价包括陶瓷特性、电特性、稳定性和可靠性几个方面。

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  • 多芯片组件用薄膜多层互连技术

    徐晶

    本文首先指出研究多芯片组件用薄膜多层互连技术的必要性,然后对此类薄膜多层互连的材料、结构及工艺进行详细介绍,最后举例说明它在多芯片组件中的应用情况。

    1990年05期 11-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 388k]
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  • 多芯片组件用薄膜多层互连技术

    徐晶

    本文首先指出研究多芯片组件用薄膜多层互连技术的必要性,然后对此类薄膜多层互连的材料、结构及工艺进行详细介绍,最后举例说明它在多芯片组件中的应用情况。

    1990年05期 11-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 388k]
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  • 双电层电容器的技术性能及其测量

    吴德明

    本文概述了双电层电容器的主要技术性能。列出了无极性卷绕式双电层电容器和无极性电池式双电层电容器的性能指标。详细介绍了双电层电容器的静电容量、内阻(或ESR)和漏电流的测量方法。

    1990年05期 16-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 326k]
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  • 双电层电容器的技术性能及其测量

    吴德明

    本文概述了双电层电容器的主要技术性能。列出了无极性卷绕式双电层电容器和无极性电池式双电层电容器的性能指标。详细介绍了双电层电容器的静电容量、内阻(或ESR)和漏电流的测量方法。

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  • PLZT多层陶瓷电容器瓷料的低温烧结

    熊茂仁,朱迅德,赵子衷

    研究了反铁电体Pb(Cd_(1/2)W_(1/2))O_3、Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3及Pb(Mg(1/2)W_(1/2))O_3和铁电体Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3及BiFeO_3对以银改性的PLZT多层陶瓷电容器瓷料烧结的促进作用及对瓷体介电性能的影响。并探讨了其低温烧结机理和介质损耗变化类型。

    1990年05期 21-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 668k]
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  • PLZT多层陶瓷电容器瓷料的低温烧结

    熊茂仁,朱迅德,赵子衷

    研究了反铁电体Pb(Cd_(1/2)W_(1/2))O_3、Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3及Pb(Mg(1/2)W_(1/2))O_3和铁电体Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3及BiFeO_3对以银改性的PLZT多层陶瓷电容器瓷料烧结的促进作用及对瓷体介电性能的影响。并探讨了其低温烧结机理和介质损耗变化类型。

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  • 金属铝基板电路的研制

    陶仁福

    在金属铝板表面形成氧化铝膜,然后印刷金属导体图形和厚膜电阻,再装上IC、LSI和分离的半导体芯片、电容、线圈及其他电子元器件,即在一块母板上装配高密度的部件,形成一功率块(P_0≥5W),最终密封在一塑料盒内。

    1990年05期 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 241k]
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  • 金属铝基板电路的研制

    陶仁福

    在金属铝板表面形成氧化铝膜,然后印刷金属导体图形和厚膜电阻,再装上IC、LSI和分离的半导体芯片、电容、线圈及其他电子元器件,即在一块母板上装配高密度的部件,形成一功率块(P_0≥5W),最终密封在一塑料盒内。

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  • 丝网印刷Cd_(1-x)Zn_xTe半导体电阻的研究

    张显炽,方湖宝,李德昌

    丝网印刷Cd_(1-x)Zn_xTe半导体厚膜电阻,具有较好的光敏性,且响应光谱范围较宽(可从近紫外到近红外)。其阻值和响应光谱波长,可用调节锌镉比来控制。这种电阻,可广泛用于各种光控电路。将它与Cd_(1-x)Zn_xS组合一起,可制成性能较好的太阳能电池。

    1990年05期 30-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 124k]
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  • 丝网印刷Cd_(1-x)Zn_xTe半导体电阻的研究

    张显炽,方湖宝,李德昌

    丝网印刷Cd_(1-x)Zn_xTe半导体厚膜电阻,具有较好的光敏性,且响应光谱范围较宽(可从近紫外到近红外)。其阻值和响应光谱波长,可用调节锌镉比来控制。这种电阻,可广泛用于各种光控电路。将它与Cd_(1-x)Zn_xS组合一起,可制成性能较好的太阳能电池。

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  • 薄膜介质可变电容器止端力矩的设计与分析

    赵永安

    <正> 薄膜介质可变电容器在收音机、收录机中占据着很重要的位置,它的质量好坏直接影响着整机的声誉。薄膜介质可变电容器在收音机、收录机中是常动元件,在选择电台的调谐过程中使用者常常由一个止端旋到另一止端,久而久

    1990年05期 32-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 107k]
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    赵永安

    <正> 薄膜介质可变电容器在收音机、收录机中占据着很重要的位置,它的质量好坏直接影响着整机的声誉。薄膜介质可变电容器在收音机、收录机中是常动元件,在选择电台的调谐过程中使用者常常由一个止端旋到另一止端,久而久

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  • 高脉动电流铝电解电容器的研制

    王作宾,潘瑞华

    本文介绍了一种高脉动电流铝电解电容器的设计、制作及实验结果。该产品具有体积小、可靠性高、耐高脉动电流等特点,直接用于电源滤波,在电子设备中具有广泛的用途。在设计过程中,参考了MIL-C-390184B CUR71型产品的电性能。

    1990年05期 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 226k]
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  • 高脉动电流铝电解电容器的研制

    王作宾,潘瑞华

    本文介绍了一种高脉动电流铝电解电容器的设计、制作及实验结果。该产品具有体积小、可靠性高、耐高脉动电流等特点,直接用于电源滤波,在电子设备中具有广泛的用途。在设计过程中,参考了MIL-C-390184B CUR71型产品的电性能。

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  • 氧化钌对厚膜端极处银性能的影响

    王元欣

    电极与RuO_2厚膜电阻端头接触处银向玻璃中溶解的能力是随玻璃中RuO_2微粒含量的增加而增强的。引起银在玻璃中溶解能力增强的机理,是银离子与RuO_2相互作用的结果。

    1990年05期 37-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 204k]
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  • 氧化钌对厚膜端极处银性能的影响

    王元欣

    电极与RuO_2厚膜电阻端头接触处银向玻璃中溶解的能力是随玻璃中RuO_2微粒含量的增加而增强的。引起银在玻璃中溶解能力增强的机理,是银离子与RuO_2相互作用的结果。

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  • 提高铝电解电容器引线可焊性的探讨

    郭步云

    选用适当化学材料,对铝电解电容器引线进行处理,可有效地提高它的可焊性,从而达到提高铝电解电容器产品质量的目的。

    1990年05期 40-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 212k]
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  • 提高铝电解电容器引线可焊性的探讨

    郭步云

    选用适当化学材料,对铝电解电容器引线进行处理,可有效地提高它的可焊性,从而达到提高铝电解电容器产品质量的目的。

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  • 热处理工艺对化学沉积金属膜电阻器电性能的影响

    刘仲娥,王文生

    本文叙述热处理工艺对化学沉积金属膜电阻器电性能的影响。通过实验采用适用的热处理工艺,使电阻器的温度系数和潮湿系数得到明显改善。

    1990年05期 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 1156k]
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  • 热处理工艺对化学沉积金属膜电阻器电性能的影响

    刘仲娥,王文生

    本文叙述热处理工艺对化学沉积金属膜电阻器电性能的影响。通过实验采用适用的热处理工艺,使电阻器的温度系数和潮湿系数得到明显改善。

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  • 从废钯银铜合金中制取超细纯钯粉

    陶厚裕,刘继生

    采用正交试验法,用较少的试验次数,回收废高强度漆包钯银铜合金线,纯化钯粉的纯度和粒度均达到冶金部YB1705-78标准要求,取得了较好的经济效益。

    1990年05期 47-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 268k]
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  • 从废钯银铜合金中制取超细纯钯粉

    陶厚裕,刘继生

    采用正交试验法,用较少的试验次数,回收废高强度漆包钯银铜合金线,纯化钯粉的纯度和粒度均达到冶金部YB1705-78标准要求,取得了较好的经济效益。

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  • 一种具有V形阻温特性的PTC材料

    李鄂胜,陈华毅,连俊友

    本文介绍一种具有V形电阻温度特性的钙钛矿型(ABO_3)结构的半导瓷材料(简称为V-PTC材料)。这种材料在居里温度以下,具有与NTC热敏电阻相当的电阻温度系数(负值),而在居里温度以上,又具有标准的PTC特性。其制造方法有两种:Yb_2O_3掺杂法和SrPbTiO_3主晶相法。该材料可用于制作具有抑制电源冲击电流和异常过电流保护双重功能的元件,应用于电源电路中。

    1990年05期 50-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 253k]
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  • 一种具有V形阻温特性的PTC材料

    李鄂胜,陈华毅,连俊友

    本文介绍一种具有V形电阻温度特性的钙钛矿型(ABO_3)结构的半导瓷材料(简称为V-PTC材料)。这种材料在居里温度以下,具有与NTC热敏电阻相当的电阻温度系数(负值),而在居里温度以上,又具有标准的PTC特性。其制造方法有两种:Yb_2O_3掺杂法和SrPbTiO_3主晶相法。该材料可用于制作具有抑制电源冲击电流和异常过电流保护双重功能的元件,应用于电源电路中。

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  • 压电陶瓷振子的叠片极化

    夏典勋

    <正> 一、压电陶瓷的极化条件所有的压电陶瓷都必须经过施加直流电场进行极化,使其内部的电畴沿电场方向取向排列,才能具有压电效应。

    1990年05期 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 210k]
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  • 压电陶瓷振子的叠片极化

    夏典勋

    <正> 一、压电陶瓷的极化条件所有的压电陶瓷都必须经过施加直流电场进行极化,使其内部的电畴沿电场方向取向排列,才能具有压电效应。

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  • 定向合成YBa_2Cu_3O_x的新工艺

    徐家齐,李标荣

    研究了YBa_2Cu_3O_x氧化物超导体的合成机理,分析了粉料结块的原因,讨论了BaCO_3热分解速率缓慢以及合成反应不充分等问题。在此基础上提出了定向合成单相YBa_2Cu_3O_(7-δ)的新工艺。

    1990年05期 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 267k]
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    徐家齐,李标荣

    研究了YBa_2Cu_3O_x氧化物超导体的合成机理,分析了粉料结块的原因,讨论了BaCO_3热分解速率缓慢以及合成反应不充分等问题。在此基础上提出了定向合成单相YBa_2Cu_3O_(7-δ)的新工艺。

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  • 陶瓷表面金属化新方法——Cu-Sn复层法

    武建设

    <正> 前言陶瓷表面金属化是指在陶瓷的封接面被覆一层与瓷体结合牢固的金属层,以实现陶瓷与金属(引线)或陶瓷与陶瓷的封接要求。目前,对装置瓷表面的金属化普遍采用Mo-Mn法和被银法。此外,化学镀方法在某些场合也普遍采用。

    1990年05期 60-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 142k]
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  • 陶瓷表面金属化新方法——Cu-Sn复层法

    武建设

    <正> 前言陶瓷表面金属化是指在陶瓷的封接面被覆一层与瓷体结合牢固的金属层,以实现陶瓷与金属(引线)或陶瓷与陶瓷的封接要求。目前,对装置瓷表面的金属化普遍采用Mo-Mn法和被银法。此外,化学镀方法在某些场合也普遍采用。

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  • 无刮刀式电子陶瓷薄膜流延机

    周德裕

    <正> 目前就国内而言,不管是引进还自行研制的电子陶瓷薄膜流延机,均在钢带上设置瓷浆料斗和刮刀。这实际上是一种机械成膜机,膜的质量与厚度误差全靠刮刀和钢带的精度来保证。钢带和刮刀之间相对运动间

    1990年05期 61-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 148k]
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    周德裕

    <正> 目前就国内而言,不管是引进还自行研制的电子陶瓷薄膜流延机,均在钢带上设置瓷浆料斗和刮刀。这实际上是一种机械成膜机,膜的质量与厚度误差全靠刮刀和钢带的精度来保证。钢带和刮刀之间相对运动间

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  • 多层陶瓷电容器的快速无损测试

    朱卓雄

    本文描述并评价了由压电材料,如钛酸钡或含铅材料,制造的多层陶瓷电容器的快速无损测试方法。该测试方法基于电容器中驻声波的内部激励,缺陷(例如分层和气孔)对驻波有强烈的抑制,对谐振无抑制则是无缺陷多层陶瓷电容器的良好表征。高速自动测试装置的测试能力约为180 000只电容器每小时,其分选准确度约为92%。

    1990年05期 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 193k]
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  • 多层陶瓷电容器的快速无损测试

    朱卓雄

    本文描述并评价了由压电材料,如钛酸钡或含铅材料,制造的多层陶瓷电容器的快速无损测试方法。该测试方法基于电容器中驻声波的内部激励,缺陷(例如分层和气孔)对驻波有强烈的抑制,对谐振无抑制则是无缺陷多层陶瓷电容器的良好表征。高速自动测试装置的测试能力约为180 000只电容器每小时,其分选准确度约为92%。

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