刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 压电陶瓷驱动器

    叶至碧

    本文介绍了压电陶瓷驱动器的基本原理、结构、特性、主要应用以及驱动器用压电陶瓷新材料。

    1989年04期 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 300k]
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  • 电子元件编带机

    夏林甫

    <正> 近来,国外办公自动化(OA)机、工厂自动化(FA)装置以及各种家用电器设备的大量生产,大大促进了各类电子元件生产和整机印制电路板(PCB)机芯装配的自动化。各种类型电子元件编带机的研制取

    1989年04期 6-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 301k]
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  • 籽晶对氧化锌压敏电阻器性能的影响

    邹秦,姚熹,孟中岩

    采用熔盐法,以强碱为助熔剂可在较低的温度下培育出针状、块状、球状的ZnO籽晶。本文详细地研究了籽晶的大小、形状、含量对氧化锌压敏电阻器性能的影响。实验表明,籽晶对降低压敏电压有十分明显的作用。

    1989年04期 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 392k]
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  • 杜邦公司一种新的多层电路工艺

    骆丹

    <正> 杜邦公司研制的生瓷带系统采用一种新的多层电路工艺,它的突出优点是低温、共烧。这种低温共烧工艺将厚膜系统的设计灵活性和共烧氧化铝系统制作方便的优点结合起来。它消除了传统厚膜工艺所需的多次烧

    1989年04期 15页 [查看摘要][在线阅读][下载 62k]
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  • 厚膜铂电阻浆料的研制

    夏之宁,陶文全

    本文简述了配制厚膜铂电阻浆料应考虑的问题,包括这种浆料中各组分的性质和作用。叙述了浆料的制备方法。并研究了各组分中不同试剂时其性质的作用机理,以及对元件性能和制作工艺的影响。

    1989年04期 16-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 258k]
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  • 聚合物基复合材料压电特性计算

    凌志远,杨大本

    本文在已有的理论基础上作了进一步引伸,推出了聚合物基复合材料压电特性的计算公式。这个公式对于聚合物不论其有无压电性都适合。本文还以PVDF-PZT复合物为例作了理论计算。

    1989年04期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 123k]
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  • 聚合物基复合材料压电特性计算

    凌志远,杨大本

    本文在已有的理论基础上作了进一步引伸,推出了聚合物基复合材料压电特性的计算公式。这个公式对于聚合物不论其有无压电性都适合。本文还以PVDF-PZT复合物为例作了理论计算。

    1989年04期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 123k]
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  • 具有高调整系数的分段印刷厚膜电阻器

    王元欣

    采用1kQ/□、10 kQ/□、100 kQ/□浆料分三段印刷厚膜电阻器,用共烧成方式,可获得1000数量级的调整系数和较高的功率能力。

    1989年04期 22-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 102k]
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  • 具有高调整系数的分段印刷厚膜电阻器

    王元欣

    采用1kQ/□、10 kQ/□、100 kQ/□浆料分三段印刷厚膜电阻器,用共烧成方式,可获得1000数量级的调整系数和较高的功率能力。

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  • ZnO粉的预烧对ZnO陶瓷电性能的影响

    李盛涛,刘辅宜,任文娥,焦兴六

    本文研究了ZnO粉料的预烧对ZnO陶瓷的S-I关系曲线,阻性电流,阻性电流与频率、温度关系,冲击电流作用下V_(1mA)变化率及残压出的影响,测定了ZnO粉料预烧前后的平均粒径和比表面积,并对实验现象进行了初步理论探讨。

    1989年04期 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 273k]
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  • ZnO粉的预烧对ZnO陶瓷电性能的影响

    李盛涛,刘辅宜,任文娥,焦兴六

    本文研究了ZnO粉料的预烧对ZnO陶瓷的S-I关系曲线,阻性电流,阻性电流与频率、温度关系,冲击电流作用下V_(1mA)变化率及残压出的影响,测定了ZnO粉料预烧前后的平均粒径和比表面积,并对实验现象进行了初步理论探讨。

    1989年04期 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 273k]
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  • 用表面安装元器件组装的128兆位存贮器

    匡泰安

    <正> Xetel公司充分利用印制板空间,采用表面安装元器件,在35.56cm×50cm的印制板上组装成128兆位存贮器。 这块存贮器板上组装了1152个J形引线SO封装的1兆位DRAM、SO封装的高速TTL逻辑电路,分离电阻器和电容器也都采用表面安装形式,仅有96线直插联接器为通孔式,为使

    1989年04期 27页 [查看摘要][在线阅读][下载 48k]
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  • 用表面安装元器件组装的128兆位存贮器

    匡泰安

    <正> Xetel公司充分利用印制板空间,采用表面安装元器件,在35.56cm×50cm的印制板上组装成128兆位存贮器。 这块存贮器板上组装了1152个J形引线SO封装的1兆位DRAM、SO封装的高速TTL逻辑电路,分离电阻器和电容器也都采用表面安装形式,仅有96线直插联接器为通孔式,为使

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  • BaTiO_3基PTC热敏电阻的生产

    张喜哲,何青,宋宝荣

    本文叙述了生产BaTiO_3基PTC热敏电阻的工艺过程。并据大量试验资料详细地讨论了各个环节对PTC元件性能的影响。

    1989年04期 28-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 283k]
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  • BaTiO_3基PTC热敏电阻的生产

    张喜哲,何青,宋宝荣

    本文叙述了生产BaTiO_3基PTC热敏电阻的工艺过程。并据大量试验资料详细地讨论了各个环节对PTC元件性能的影响。

    1989年04期 28-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 283k]
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  • 高速响应碳化硅薄膜热敏电阻

    王保华 ,张伟祖

    将氧化铝基板表面高频溅射碳化硅薄膜而构成的热敏电阻芯片焊接在一端封口的圆柱金属外壳内,能够探测温度的热时间常数大约为0.6秒。

    1989年04期 32-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 115k]
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  • 高速响应碳化硅薄膜热敏电阻

    王保华 ,张伟祖

    将氧化铝基板表面高频溅射碳化硅薄膜而构成的热敏电阻芯片焊接在一端封口的圆柱金属外壳内,能够探测温度的热时间常数大约为0.6秒。

    1989年04期 32-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 115k]
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  • 钌酸铋、铱酸铋厚膜电阻材料

    高官明,武新荣

    当配比Bi_2Ru_2O_7/玻璃从15/85变化到70/30,850℃烧结后,方阻从1.60MQ/□变到6.28Ω/□,TCR从-60ppm/℃变到200ppm/℃。当配比Bi_2Ir_2O_7/玻璃从20/80变到70/30,780℃烧结,方阻从1.1MΩ/□变到77.9Ω/□,TCR从-274ppm/℃变到269ppm/℃。高温(950℃)煅烧制得的Bi_2Ru_2O_7、Bi_2Ir_2O_7与低温(600℃、700℃)制得的相比,方阻高,TCR较负,前者宜作高电阻膜,后者宜作低电阻膜。掺入Al_2O_3、SiO_2使方阻增大,而TCR和噪声良好,TiO_2使TCR较负。Au粉使方阻急降,但改善TCR。Pt粉对方阻和TCR无明显影响。Bi_2O_3或MnO_2使TCR由正值偏向负值方向。150℃、1000小时热存放后,Bi_2Ru_2O_7低阻变化较大,高阻变化率为±1%;Bi_2Ir_2O_7阻值变化率小于0.8%。Bi_2Ir_2O_7与Bi_2Ru_2O_7相比,噪声低,TCR略大。

    1989年04期 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 195k]
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  • 钌酸铋、铱酸铋厚膜电阻材料

    高官明,武新荣

    当配比Bi_2Ru_2O_7/玻璃从15/85变化到70/30,850℃烧结后,方阻从1.60MQ/□变到6.28Ω/□,TCR从-60ppm/℃变到200ppm/℃。当配比Bi_2Ir_2O_7/玻璃从20/80变到70/30,780℃烧结,方阻从1.1MΩ/□变到77.9Ω/□,TCR从-274ppm/℃变到269ppm/℃。高温(950℃)煅烧制得的Bi_2Ru_2O_7、Bi_2Ir_2O_7与低温(600℃、700℃)制得的相比,方阻高,TCR较负,前者宜作高电阻膜,后者宜作低电阻膜。掺入Al_2O_3、SiO_2使方阻增大,而TCR和噪声良好,TiO_2使TCR较负。Au粉使方阻急降,但改善TCR。Pt粉对方阻和TCR无明显影响。Bi_2O_3或MnO_2使TCR由正值偏向负值方向。150℃、1000小时热存放后,Bi_2Ru_2O_7低阻变化较大,高阻变化率为±1%;Bi_2Ir_2O_7阻值变化率小于0.8%。Bi_2Ir_2O_7与Bi_2Ru_2O_7相比,噪声低,TCR略大。

    1989年04期 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 195k]
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  • 电容器参数频率特性自动测试系统及软件

    段佐贵

    本文扼要叙述了由微机控制的电容器参数频率特性自动测试系统及应用情况,向电容器生产厂家和电路设计师们推荐一种准确、可靠、方便、迅速的电容器频率特性测试方法。

    1989年04期 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 255k]
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  • 电容器参数频率特性自动测试系统及软件

    段佐贵

    本文扼要叙述了由微机控制的电容器参数频率特性自动测试系统及应用情况,向电容器生产厂家和电路设计师们推荐一种准确、可靠、方便、迅速的电容器频率特性测试方法。

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  • 国营红云器材厂引进彩电PTC热敏电阻器生产线投产

    雷同华

    <正> 国营红云器材厂研制生产的彩电PTC热敏电阻器,在原有的产品技术基础上,以改造前部生产工序为主,采用引进关键设备和国内配套设备相结合的方案进行技术改造,于1988年7月从日本、西德、丹麦和意大利联合配套引进了彩电PTC热敏电阻器生产线。引进的关键设备及仪表有:纯水处理系统、FX和EP型电子天平、振幅研磨机、振动过滤筛、喷雾干

    1989年04期 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 68k]
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  • 国营红云器材厂引进彩电PTC热敏电阻器生产线投产

    雷同华

    <正> 国营红云器材厂研制生产的彩电PTC热敏电阻器,在原有的产品技术基础上,以改造前部生产工序为主,采用引进关键设备和国内配套设备相结合的方案进行技术改造,于1988年7月从日本、西德、丹麦和意大利联合配套引进了彩电PTC热敏电阻器生产线。引进的关键设备及仪表有:纯水处理系统、FX和EP型电子天平、振幅研磨机、振动过滤筛、喷雾干

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  • 高压串联金属化有机电容器的去膜技术

    王众

    目前高压金属化有机薄膜电容器的使用领域已有了进一步的扩展,为了加快该类产品的规模生产,根据我们的一点体会,结合国外的一些经验,本文着重对其中的去膜工艺进行一些探讨。

    1989年04期 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 176k]
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  • 高压串联金属化有机电容器的去膜技术

    王众

    目前高压金属化有机薄膜电容器的使用领域已有了进一步的扩展,为了加快该类产品的规模生产,根据我们的一点体会,结合国外的一些经验,本文着重对其中的去膜工艺进行一些探讨。

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  • 日本混合微电路市场扩展迅速

    张明云

    <正> 典型的厚膜混合微电路是通过在基片上形成厚膜导体图形和电阻器而生产的。基板上装上IC、LSI和分离半导体片、电容器、线圈及其它电子部件,电路密封采用树脂、金属或陶瓷,在一块母板上装配高密度部件,形成块状结构,被定义为混合微电路。也可看作是在陶瓷基板上把各种部件组织起来的一种“混合技术”形式。

    1989年04期 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 65k]
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  • 日本混合微电路市场扩展迅速

    张明云

    <正> 典型的厚膜混合微电路是通过在基片上形成厚膜导体图形和电阻器而生产的。基板上装上IC、LSI和分离半导体片、电容器、线圈及其它电子部件,电路密封采用树脂、金属或陶瓷,在一块母板上装配高密度部件,形成块状结构,被定义为混合微电路。也可看作是在陶瓷基板上把各种部件组织起来的一种“混合技术”形式。

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  • 电子工业专用设备的可靠性(上)

    王丽生

    本文着重对电子工业专用设备涉及到的有关可靠性方面的三个重要问题进行介绍,它们是:可靠性设计、可靠性试验和可靠性筛选。

    1989年04期 45-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 425k]
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  • 电子工业专用设备的可靠性(上)

    王丽生

    本文着重对电子工业专用设备涉及到的有关可靠性方面的三个重要问题进行介绍,它们是:可靠性设计、可靠性试验和可靠性筛选。

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  • 薄膜可变电容器动片安装孔改为长圆形的意义

    纪兆勋

    <正> 薄膜可变电容器动片安装孔和转轴圆孔配合有如下缺点: 1.动片头上必须加一带圆孔的耳子(参见图4),没有这耳子上的圆孔就无法将动片定位进行装配。动片头上增加了这个耳子使材料增加,加工复杂。

    1989年04期 52-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 110k]
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  • 薄膜可变电容器动片安装孔改为长圆形的意义

    纪兆勋

    <正> 薄膜可变电容器动片安装孔和转轴圆孔配合有如下缺点: 1.动片头上必须加一带圆孔的耳子(参见图4),没有这耳子上的圆孔就无法将动片定位进行装配。动片头上增加了这个耳子使材料增加,加工复杂。

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  • 美国军用混合微电路认证体系简介

    蔡鑫泉

    本文简介了美国军用混合微电路认证体系的MIL-STD-1772文件的形成过程,主要内容,贯彻情况及取得的成效。这是一份混合微电路的指导文件。

    1989年04期 54-56+51页 [查看摘要][在线阅读][下载 256k]
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  • 美国军用混合微电路认证体系简介

    蔡鑫泉

    本文简介了美国军用混合微电路认证体系的MIL-STD-1772文件的形成过程,主要内容,贯彻情况及取得的成效。这是一份混合微电路的指导文件。

    1989年04期 54-56+51页 [查看摘要][在线阅读][下载 256k]
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  • 对阻容元件质量认证文本中一些问题的认识

    张昌仁

    本文通过对电子设备用阻容元件的IECQ标准结构、总规范及分规范的基本内容,特别是质量评定程序的规定方面一些问题的计论,有利于采用国际标准工作的进行。

    1989年04期 57-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 364k]
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  • 对阻容元件质量认证文本中一些问题的认识

    张昌仁

    本文通过对电子设备用阻容元件的IECQ标准结构、总规范及分规范的基本内容,特别是质量评定程序的规定方面一些问题的计论,有利于采用国际标准工作的进行。

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  • 电极浆料、化学镀金属层专利文摘

    夏林甫

    <正> 美国电子材料公司 美国纽约州 弗朗克·斯特·约翰,萨姆森·莎巴茨 发明目的:提供一种适用印刷电路板(树脂或瓷基板)的低固化温度、高附着强度、可焊性好的导电合成物的制备方法。导电体具有良好的焊料浸润性,可以进行浸焊、再流焊用波峰焊,焊接附着强度可达到700N/cm~2。

    1989年04期 63-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 97k]
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  • 电极浆料、化学镀金属层专利文摘

    夏林甫

    <正> 美国电子材料公司 美国纽约州 弗朗克·斯特·约翰,萨姆森·莎巴茨 发明目的:提供一种适用印刷电路板(树脂或瓷基板)的低固化温度、高附着强度、可焊性好的导电合成物的制备方法。导电体具有良好的焊料浸润性,可以进行浸焊、再流焊用波峰焊,焊接附着强度可达到700N/cm~2。

    1989年04期 63-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 97k]
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