- 魏道兴
,章锦泰
在VLSI的广泛应用、多层封装设计已达400个以上引出脚的现状下,厚薄膜混合集成电路多层布线CAD技术在近年来的国际电子元件会议(ECC)上已成为热门话题。如美国Honeywellco.、IBM公司等正在大力研究和开发,从逻辑功能设计到组装分析模拟和电性能预测等已取得成果,并进入实际应用阶段。本文综述了多层封装设计的CAD设计工具、模拟工具、CAD模型、多层组装设计分析和电特性CAD预测方法,最后介绍了CAD布线。
1989年01期 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 351k] [下载次数：25 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：84 ] - 池同
本文就日本和西欧五家著名腐蚀形成箔制造公司腐蚀形成箔的比容量、强度、铝纯度、氯离子含量、形成质量、稳定性等性能指标的水平状况及检测方法作了评述,对国内某些状况作了对比。
1989年01期 5-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 515k] [下载次数：53 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：79 ] - 刘肖滨
1983年以来,日本的汽相钎焊技术发展速度是惊人的。汽相钎焊利用氟系蒸气潜热进行焊接,是一种具有许多优点的新型接合技术。本文介绍了日本汽相钎焊技术使用的设备、材料、成本及有关工艺问题。
1989年01期 14-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 267k] [下载次数：23 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：74 ] - 汤炳瑞
<正> 日本三田无线电研究所开始出售带刻度的可变电容器。这种电容器是由最大静电容量为900pF的主可变电容器和可变范围为8pF的微调用可变电容器构成的,主可变电
1989年01期 18页 [查看摘要][在线阅读][下载 51k] [下载次数：17 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：90 ] - 陈大任,栾怀顺
文章介绍了G-1玻璃(PbO-Bi_2O_3-BO_3-CdO系,加入量3.5wt％～10wt％)对(Ba_(1-x)Sr_x)(Ti_(1-y)Zr_y)O_3系铁电陶瓷的烧结性能和介电性能的影响。在上述玻璃加入量范围内,材料均能在1120℃左右烧结。该玻璃料对该系统铁电陶瓷有明显的降低居里温度T_c的作用,发现低温烧结试样与高温烧结试样的介电性能有较大的差异,低温烧结试样在从低温升温至-10℃左右时,出现介电常数突然增高的异常现象。文章从玻璃相对基相的化学作用、应力等物理作用方面对以上结果作了分析和讨论。
1989年01期 19-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 418k] [下载次数：32 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：75 ] - 匡泰安
<正> SOT-223分立半导体器件封装方式是飞利浦新近推出的一种表面安装用封装形式。 SOT-223尺寸为6.5mm×3.5mm×1.7mm,外形见图。该封装可容纳最大2.5mm
1989年01期 24页 [查看摘要][在线阅读][下载 111k] [下载次数：99 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：73 ] - 文佑平
本文叙述了α-Fe_2O_3厚膜气体传感器的制造工艺,用湿法制成的α-Fe_2O_3粉体作为敏感材料,研制成了厚膜型的气体传感器。结合电子显微分析,对气体传感器的烧结温度、保温时间、热处理时间等进行了选择,最后研究了厚膜浆料中的玻璃对气敏性能的影响。
1989年01期 25-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 413k] [下载次数：43 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：93 ] - 刘平,郭文勇,顾米全
已摸索出一套在引进的流延设备上使用国产原料成型压电陶瓷滤波器基片的流延成型工艺。文中讨论了影响流延质量的主要因素,并给出了具有实用意义的实验结果。
1989年01期 30-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 382k] [下载次数：218 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：133 ] - 李其凤,郑安泉
本文介绍了对掺杂Ta、Ba的TiO_2晶界层电容器陶瓷的研究结果。这种陶瓷只需一次烧成就可形成晶界层结构,其介电常数高达10~5,不仅可望成为制作晶界层电容器的理想瓷料,而且有可能用于开发比电容更高的独石型晶界层电容器。
1989年01期 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 169k] [下载次数：131 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：72 ] - 王元欣
目前,已试制成功一种用V_2O_5掺入到RuO_2导电相中的厚膜玻璃釉电阻器。利用固相反应,可将不同量的V_2O_5引入到RuO_2晶格中。随着V_2O_5的浓度从2wt％增加到6wt％,片电阻率从235kΩ/□下降到10kΩ/□,并发现其电导率“σ”符合σ=KS(1-S)的方程。
1989年01期 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 158k] [下载次数：41 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：81 ] - 蒋德光
<正> 一、前言 近年来,在改性BaTiO_3陶瓷的研究方面,已取得明显效果。这些研究,有的已达实用阶段,有的则为我们进一步研究改性BaTiO_3陶瓷指明了方向。本文介绍了三种
1989年01期 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 128k] [下载次数：36 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：58 ] - 濮实
为了适应表面装配技术发展的需要,日本松下电器株式会社研制出了一种新型薄膜片式电容器。本文将介绍这种片式电容器的结构、生产工艺及其电性能。
1989年01期 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 186k] [下载次数：52 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：76 ] - 张汉昭
本文主要根据玻璃釉电阻器和电位器所使用的电阻浆料当前存在的问题,如贵金属价高、难免除有害作业、部分性能不稳定等,为寻求成本低、质量好、能适合大生产的电阻浆料,特推荐一种国外采用混合硅化物(硅化镁、二硅化钼、二硅化钽等)加氧化铝配制成的贱金属玻璃釉电阻浆料,介绍其制作工艺与提高性能的方法。
1989年01期 48-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 278k] [下载次数：107 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：91 ] - 王丽生
国产电子元件专用设备正向高效率、自动化方面发展,可完成多道工序的联动机也在不断出现,但其中一些设备随着复杂程度的提高,其电气可靠性却大幅度降低;同时,设备的研制周期也显著增长。解决这一问题的有效途径是采用PC。PC较继电器逻辑电路、微机、单板机更适用于一般较复杂的工业设备控制和生产过程的控制。PC在我国电子元件专用设备中的应用实例,亦证实了它所具有的广阔前景。
1989年01期 53-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 349k] [下载次数：8 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：108 ] - 董敦灼,陈旭明,熊茂仁
本文介绍了低温烧结PZT压电陶瓷材料的发展概况,给出了不同方法制备的低温烧结PZT压电陶瓷材料的性能,并对降低PZT陶瓷烧结温度的各种方法进行了评价。
1989年01期 58-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 172k] [下载次数：371 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：37 ] |[阅读次数：100 ] - 张永祥,包兴,周淑香
本文对国内外薄膜电阻器瓷基体进行了全面的测量分析,其中有宏观和微观的测量。例如:瓷基体表面粗糙度的测量和等级评定,瓷基体表面开口气孔率、吸水率、体密度的测量,在微观分析方面有:瓷基体表面形貌观察与分析,瓷基体的物相分析与测量等。 通过这些分析测量,找出它们之间的联系,并和国外同类型产品相比较,找到了差距。据此指明了今后努力的方向及提高产品质量的措施等。
1989年01期 61-64+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 555k] [下载次数：27 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：60 ] 下载本期数据