刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 1989年我国电子元件市场预测

    范家成

    <正> 一、电子整机产品状况 电子元件以电子整机产品为市场,因此对元件市场的预测取决于对各类电子整机产品预测的准确程度,以及对各种整机单机元件用量之平均值的选择。 我国电子工业总产值1986年为300亿元,1987年为428亿元,增长42.8%。预计1998年将突破600亿元,1989年将继续增长。

    1988年06期 1-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 501k]
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  • 英国应变片的发展

    刘忠玉

    本文介绍了应变片的发展历史和英国几家主要公司应变片的发展概况。

    1988年06期 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 215k]
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  • 新型厚膜线性热敏电阻器

    熊世英

    本文介绍一种新型线性热敏电阻器。它以尖晶石结构的锰酸盐为热敏基料,掺入适量的RuO_2用来改善产品阻温特性的线性和对电负荷的稳定性。产品采用特种玻璃釉为粘结剂,高铝瓷片为基体,引用厚膜电阻印制工艺成型,经840℃烧结而成。 该产品在100℃内,TCR约为-7×10~(-3)/℃,非线性误差≤±2%,相同规格的互换精度达±2%,时间常数≤15s是与数字化测温仪表配套的优质感温元件。也广泛用于厚膜混合电路,作为精密的温度补偿元件。

    1988年06期 12-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 270k]
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  • 氧化锌薄膜乙醇气敏元件的研制

    李玉宝

    采用细晶陶瓷基片,运用纯氧反应溅射技术,掺稀土金属的方法,制备的ZnO薄膜具有初期恢复时间短、响应和恢复时间快、灵敏度较高等气敏特性,特别适用于对司机酒后开车及公共场所饮酒者的检查。

    1988年06期 17-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 375k]
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  • 大块Nd、Mn、In改性PbTiO_3陶瓷的制备技术

    肖鸣山,张子清

    本文主要介绍大块Nd、Mn和In改性PbTiO_3陶瓷的制备技术。通过改进陶瓷的制备工艺,解决了大块PbTiO_3陶瓷烧结不充分、易碎裂、分散性大和重复性差等问题,得到了性能优良的大块Nd、Mn、In改性PbTiO_3陶瓷。

    1988年06期 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 150k]
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  • Cd_6Sb_2O_(10)半导瓷的合成分析

    张靖漓

    通过高温X射线衍射分析、差热分析和热失重分析,对新型锑酸镉半导瓷Cd_6Sb_2O_(10)的合成过程进行了系统研究。结果表明,温度在1000℃以下,CdO和Sb_2O_5原料尚未反应;在1000℃时有部分粉料开始反应,温度上升到1100℃时,反应速度迅速加快;到1200℃合成反应全部完成。

    1988年06期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 184k]
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  • 高频用低压氧化锌压敏电阻器的研制

    王筱珍,鲍青

    本文介绍了低频用压敏电阻器的研制结果。为使其主要技术参数C≤100pF,V_(1mA)≤100V、通流容量>400A(8×20μs),本研究从调整工艺、增加Bi_2O_3含量、添加各种玻璃及籽晶等方面进行试验,最终得出:添加7.5wt%硼硅酸铅锌玻璃的试样,其性能最佳并达到上述要求。文中还对各种因素的影响机理进行了分析。

    1988年06期 26-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 366k]
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  • 南无元件一厂CBB13电容器获全国一等奖

    <正> 南京无线电元件一厂生产的CBB13聚丙烯电容器日前在郑州全国电容器质量评比中,以总分98.98名列榜首,获一等奖。 这种电容器是彩电和其他精密电子整机的配套元件。该厂在开发研制过程中,在全

    1988年06期 30页 [查看摘要][在线阅读][下载 131k]
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  • JVC 18英寸彩电用高频瓷介电容器瓷料的研究

    李阳

    <正> 目前,我国已有各种机型彩电生产线百余条,其中日本胜利公司JVC型彩电生产线数量最多,约占总数的20%。为了用国产瓷料生产出高质量的JVC18英寸彩电用高频瓷介电容器,我们进行了一系列试制工作。JVC18英寸彩电中使用的高频瓷介电容器有三个温度系数(TC_e)组别,即C组(TC_ε=0±60 ppm/℃),R组(TC_ε=-220

    1988年06期 31-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 117k]
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  • 性能优良的CH21型复合膜电容器

    王培贤

    CH21型金属化复合膜电容器是利用我厂现有产品CL21型的金属化涤纶膜和CBB124型金属化聚丙烯膜相互搭配卷绕而成的新产品。其最大特点是它利用了涤纶膜正温度系数和聚丙烯膜负温度系数两者互相补偿的原理,以达到降低电容器温度系数的目的。本文介绍了该种电容器的技术特性、结构特点、热定型温度的确定和热定型温度对产品性能的影响。

    1988年06期 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 251k]
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  • 电子调谐器用LC组合型高通滤波器

    刘玉华

    LC组合型HPF3820高通滤波器用被银云母片作电容,高强度漆包线单层绕制电感,单面敷铜板作线路基板。具有来料方便、制作简易等特点。性能达到国外同类产品水平。

    1988年06期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 147k]
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  • 聚合物湿敏元件

    蒋亚东,杨大本

    本文论述了新型湿敏元件——聚合物湿敏元件的感湿机理及形式,阐述了聚合物材料和电学结构的有机结合是获得理想聚合物湿敏元件的有效途径,以及理想聚合物湿敏元件的性能和特点。

    1988年06期 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 193k]
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  • 陶瓷金属化层不连续图形的电镀方法

    史祖法

    <正> 陶瓷金属化技术在电子工业中占着十分重要的地位,由于它能使陶瓷不但具有电子陶瓷的很多优良性能,在一些局部区域又具备金属的特性,因此使这一技术在很多场合起着特殊的作用。如可控硅外壳、集成电路陶瓷外壳及各种陶瓷基片电路的生产等,都需要用到陶瓷金属化技术。Mo-Mn法和W-Mn法是陶瓷金属化技术中应用得极普遍的

    1988年06期 41-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 141k]
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  • 双联电位器的电阻体分档预选工艺

    余加力

    为了将同轴双联电位器的同步误差控制在某一范围内,须首先将电阻体按一定要求进行分档。一般认为有两种分档预选工艺,即电阻分档预选工艺和电压分档预选工艺。本文通过对接触电阻的讨论,证明了电压分档预选工艺是最佳的电阻体分档预选工艺。本文系指采用流延法制造的电阻体,对于印刷法制造的电阻体,许多工厂取两个相邻印刷的电阻体配对来控制同步误差。

    1988年06期 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 197k]
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  • 片状微调电位器的结构与工艺

    吴伟平

    本文主要介绍片状微调电位器的结构和生产工艺,并指出国内必须首先解决原材料和工装问题,才能生产或引进相应技术。

    1988年06期 46-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 296k]
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  • 改善调频接收用压电陶瓷滤波器生产现状的途径

    黄建国

    <正> 调频接收用滤波器为多重模式10.7 MH_z压电陶瓷滤波器。该器件应用“能陷”理论和厚度振动模式,在陶瓷基片上设置多个点振子,并采用分割电极法而获得性能优良的滤波曲线,在调频接收机中替代LC调谐回路进行中频滤波。由于它具有小型、质轻、性能稳定、无需调整、选择性好和可靠性高等优点,自1966年日本村田制作所首次研制成功以来,已获广泛应用。

    1988年06期 50-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 150k]
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  • TSC方法用于独石电容器质量判定及可靠性研究

    方湘怡,姚熹,王振平

    用TSC(热激电流)方法对不同烧结温度的样品进行了测试,发现Ⅱ类独石电容器的TSC谱随烧结温度的不同而有所区别,这对独石烧结程度的判定具有实际意义。尝试用TSC方法进行独石电容器的缺陷检测已得到一些有意义的结果。

    1988年06期 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 185k]
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  • 金属膜电阻器电负荷失效的微观分析

    徐式曾,崔连庆

    本文利用微观分析方法研究了金属膜电阻器在电负荷老化时的多种失效形式,分析了它们的失效过程和失效因素。认为低碱瓷的热稳定性不良是失效的主要原因,而瓷体中的晶粒粗大、瓷化条件不足以及刻槽造成的损伤等不良因素又能在电负荷老化中诱发出多种破坏性的失效形式。针对失效因素,本文提出了改进瓷体质量的建议。

    1988年06期 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 879k]
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  • 表面组装及混合电路用焊膏的检验方法

    王春霞

    本文简要地介绍了用于表面组装和混合电路的膏状钎料的检验方法及基本要求。检验方法分为三大部分:膏状钎料的使用性能(外观、印刷性能,烘干及热熔性能,残渣的干燥度及清洗性能,焊球试验,金属存留量试验,铺展试验);钎剂性能(酸值、卤化物,水溶物电导率,铜镜试验,绝缘电阻试验);钎料粉性能(重量百分比,钎料成分测定,钎料粉的粒度分布,钎料粉的形状),可以考虑作为膏状钎料一般技术要求。

    1988年06期 58-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 407k]
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  • 高热传导率的氮化铝基片已商品化

    徐德明

    <正> 热传导率比氧化铝基片大约高8倍的氮化铝基片由日本东北金属工业公司研制成功,并已经商品化,正在进入半导体基片市场,预计在1989年初就可以实现月生产50万个散热器的生产能力。 在热传导率优良的氮化铝基片上,采用薄膜技术,镀上Ti-Pt-Au金属合金,制成

    1988年06期 62页 [查看摘要][在线阅读][下载 67k]
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  • 《电子元件与材料》1988年总目录

    1988年06期 63-64+40页 [查看摘要][在线阅读][下载 176k]
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