刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 氮化铝薄膜的进展(续)

    曲喜新

    <正> 三、氮化铝薄膜的结构和成分 氮化铝薄膜的结构依从于它的制造工艺和基片材料。在其他条件相同下,用不同的工艺可以制造出结构不同的薄膜。同样的,即使在工艺完全相同下,若所用基片材料不同,会得出结构各异的薄膜。 在氮化铝薄膜的结构中,包括有组织结构和晶体结构,此外,还有各种结构缺陷。

    1987年01期 1-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 696k]
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  • 钛酸铅铁电薄膜及热电型红外传感器

    刘一声

    钛酸铅陶瓷是一种优良的强热电材料。用RF溅射、磁控溅射和CVD等成膜方法能制取优质的钛酸铅膜,已用这种薄膜试制出各种性能优良的红外敏感器件。目前这些器件已在红外成像及红外光CT装置等领域获得应用。

    1987年01期 13-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 456k]
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  • 铝电解电容器的工作电解液

    程学鹏 ,李吉

    本文针对工作电解液必须满足的各种特性要求,就组成工作电解液的各成份进行了详细分析和讨论,并用“电动势”的概念解释了为什么赋能液不能用来做工作电解液的原因。

    1987年01期 20-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 625k]
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  • 一种新颖的片状电感器

    徐家骥

    <正> 作为片状元件,片状电阻器和片状电容器早已大量生产。而片状电感器则发展较慢。 据资料介绍,目前日本已研制出一种民用的新颖的厚膜化小型片状电感器,并且已投入大量生产。 采用厚膜印刷技术,在生的磁性体片上印刷金属铜膏形成涡卷状的线圈图案,每片

    1987年01期 28页 [查看摘要][在线阅读][下载 58k]
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  • 优于95%Al_2O_3的55%Al_2O_3陶瓷基板的研制——试论55%Al_2O_3多层陶瓷母板制造工艺

    储章生

    本文介绍55%重量Al_2O_3和45%重量玻璃作基板材料,采用扎膜成型;银95%重量和钯5%重量作导体材料,用丝网漏印法布线;在880~920℃烧成的多层陶瓷基板。其性能不仅优于95%重量Al_2O_3瓷和M_0、Mn作导体材料烧成的多层基板,而且工艺简单,成本更低。它是制作集成电路基板的一种较理想的陶瓷材料。

    1987年01期 29-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 195k]
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  • 压敏学组筹委会议召开并决定今年进行技术交流

    项家祥

    <正> 中国电子学会压敏学组筹备委员会会议1986年12月19日在陕西咸阳召开,五个单位共七位代表参加了会议。 会上,压敏学组组长、国营七九五厂副总工程师巫智芳传达了中国电子学会敏感技术学

    1987年01期 31页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k]
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  • 小型塑封单向固体钽电解电容器的研制

    刘志亮

    本文叙述了小型塑封单向固体钽电解电容器的设计、制造工艺及其电性能。这种电容器采用金属外壳、树脂封口结构,容量范围为0.47~330μF,电压系列为6.3~63V,在混合集成电路中有着广泛的用途。电容器的体积比电子工业部CA型电容器的部标规定体积减少了三分之一到二分之一。这种电容器适于大批量生产,其容量特性稳定,漏电流和损耗角正切值小,长期稳定性好,防潮性良好,机械特性优良,特别是克服了CA型电容器多余物导致失效的缺陷。可供航天设备、导弹等要求高可靠性的电路中使用。

    1987年01期 32-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 285k]
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  • 微量元素对铝电解电容器铝箔腐蚀形貌的影响

    K. Arai ,T. Suzuki ,T.Atsumi ,沈行素

    <正> 铝电解电容器铝箔通常要在盐酸或氯化钠溶液中进行腐蚀。铝电解电容器的电容量与腐蚀形貌有很大关系。由于铝中杂质对腐蚀形貌影响极大,因此,要制造优质电容器铝箔,控制铝箔中杂质的含量就极为重要。文献[3~12]报导了铝中杂质或合金元素的作用。 我们发现微量铋和硼对腐蚀形貌有很大

    1987年01期 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 809k]
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  • 高d_(31)高E_c压电陶瓷及其应用

    王天宝

    本研究结果表明,ZNL_2压电陶瓷材料具有高的d_(31)和E_c值,其|d_(31)×E_c|值高达3.56×10~(-4),其K_p、K_(15)、d_(15)和温度稳定性均较高,是一种用途较广泛的压电陶瓷材料。目前,该材料在制造彩色录象机磁头自动扫描跟踪板、压电自控流量阀和切变加速度计等方面已获正式应用。

    1987年01期 41-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 488k]
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  • 杂质和载流子浓度对含BeO的SiC陶瓷电阻率和热传导率的影响

    夏典勋

    添加BeO的SiC陶瓷比普通的SiC陶瓷的电阻率和热传导半高。本文研究了SiC晶粒中载流子浓度对电性能和热传导率的影响。对这种陶瓷来说,低的载流子浓度是提高电阻率的条件,但热传导率则因杂质浓度的增加而逐步减小。

    1987年01期 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 154k]
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  • 碳膜电阻器质量分析方法的比较

    王文生

    本文从工作原理及特点方面对扫描电子显微镜或电子探针分析法和扫描俄歇电子能谱法进行对比讨论,指出为什么后一种方法更适合于研究碳膜电阻器。论及的问题,对其它阻容元件的质量分析也有参考价值。

    1987年01期 51-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 245k]
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  • 电子陶瓷树

    张志檩

    1987年01期 54页 [查看摘要][在线阅读][下载 34k]
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  • 电位器失效模式及机理分析

    彭苏娥

    本文根据地面良好、地面固定、地面移动、机载、舰载、贮存等环境下的大量现场数据及试验数据,着重对电位器的失效模式进行了统计分析,对国内外各类电位器失效模式的分布情况进行了对比,指出了提高电位器可靠性水平的途径。

    1987年01期 55-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 216k]
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  • S波段高强度微波调频固态源

    李丙中

    本文介绍了一种混合集成S波段高强度微波固态源的设计、制作以及实测结果。该功能部件具有体积小、可靠性高、成本低、效率高、耐冲击旋转强度性能好等特点,直接用于弹丸遥测系统。在其他电子建备中也具有广泛的用途。

    1987年01期 58-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 284k]
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  • 无定形钽、铌氧化膜的剥离成功

    高福兰

    <正> 由于固体钽电容器具有高可靠、长寿命、体积小等特点,被广泛应用于军事电子设备(如人造卫星,宇航)和海、地缆通信设备中。国外固体钽电容器的失效率低,可靠性最高可达9~10级。 钽电容器阳极氧化膜作为介质,其结构稳定性对电解电容器的性能有直接的影响,特别

    1987年01期 62页 [查看摘要][在线阅读][下载 106k]
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  • 混合集成电路应用和发展动态

    候国栋

    本文介绍了近几年美、日等国混合集成电路的应用概况和发展动向,叙述了可靠性试验项目及考核标准,提出了从引线焊接和封装等方面解决产品可靠性的措施,指出了塑料封装在一定工作范围内将取代其它封装形式这一发展趋势。

    1987年01期 63-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 200k]
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  • 片式元件引进投产情况简介

    张如明 ,聂玉瑞 ,娄友成

    <正> 据调查,我国引进的片式元件生产线,主要是片式电阻器和片式独石电容器,有源器件生产线的引进尚未实现。按1986年底能投产的生产线统计,我国片式电阻器引进线的生产能力可以达到每年8亿只,片式独石电容器引进线的生产能力可以达到每年5亿只。后者是按引进的独石电容器生产线生产

    1987年01期 66页 [查看摘要][在线阅读][下载 41k]
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  • 常用法定计量单位及其换算表

    1987年01期 67-69页 [查看摘要][在线阅读][下载 119k]
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  • 高介电常数陶瓷材料

    朱云松

    <正> 据日本特公昭55-20610号专利报导,松下电器产业公司合成组成范围为:BaTiO_390~98%(重量)、CaTiSi)_5 0.1~4.4%(重量)、Bi_2O_30.1~1.7%(重量)、Nb_2O_50.2~5.5%(重量)的陶瓷介质材料已获成功。 该材料介电常数高,介电常数的温度变化率特别小,并且在高频范围内损耗小,交流电压特性、老化特性好,是一种新型高介

    1987年01期 70页 [查看摘要][在线阅读][下载 64k]
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  • 专利文摘

    专利文献是新颖、实用的信息。本刊将陆续选载电阻、电容、电子陶瓷材料与器件、厚薄膜混合集成电路等专业的专利文摘。为庆祝我国专利法实施两周年,本期选载中国专利摘要,供读者参阅。

    1987年01期 71-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 133k]
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