刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 99%BeO陶瓷两种金属化膏系的研究

    蔡继铎

    我国自六十年代初期开始对氧化铍陶瓷及其金属化工艺进行研究,最初BeO陶瓷金属化是在Al_2O_3陶瓷金属化的Mo-Mn-Si膏系的基础上进行的。99%BeO陶瓷具有良好的导热与绝缘性能,应用范围十分广泛。但用户对其金属化层的抗拉强度及热阻都提出了相当苟刻的要求,而采用Mo-Mn-Si膏系是难以达到的。因此,必须研究新的膏系。本文所研究的金属化膏中,采用导热更好的钨粉来代替钼粉,进行了W-Y_2O_3和W-La_2O_3两种金属化膏系的研究。研究结果表明:两种膏系均在含钨量为90%时,使金属化层抗拉强度达到最大值。此时,W-10%Y_2O_3膏的σ_B=194.7MPa(19.85kgf.mm~(-2));W-10%La_2O_3膏的σ_B=133.8MPa(13.64kgf·mm~(-2)),其烧结温度分别为1740℃和1880℃。在上述两种金属化膏中,W-10%Y_2O_3膏比W-10%La_2O_3膏金属化层抗拉强度大,金属化层烧结温度低,金属化工艺更为稳定,涂膏时对环境温度不敏感,并且抗拉强度值的分散也较小。所以,W-10% Y_2O_3膏是99% BeO陶瓷金属化较为理想的膏料。该两种膏的BeO陶瓷金属化制品,均已用于微波功率晶体管产品中。本文还对BeO陶瓷金属化层拉力试验件及其模具夹具进行了研究和设计,研究结果表明其设计结构合理,操作方便,可保证金属化层抗拉强度具有很好的重复性。

    1986年06期 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 252k]
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  • 烧成工艺与钽钌酸铅厚膜电阻高阻特性的关系

    宋兴义,陆蓓莉

    <正> 一、前言影响厚膜电阻特性的因素是多方面的。对钽钌酸铅电阻来说,氧化钌处理温度高,阻值高、噪声大,处理温度低,阻值低,电流噪声也低。氧化钌比表面积大,阻值小;比表面积小的,阻值大。玻璃粉料的颗粒越细,阻值越高;颗粒粗,则阻值低。本文主要讨论钽钌酸铅电阻浆料同Pd-Ag导体浆料一次烧成或分次烧成与电阻特性的关系。试验发现,一次烧成的电阻与导体的端头部位有气泡产生,阻值高,噪声大。分次烧成

    1986年06期 6-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 83k]
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  • 氧化铬彩色版的制作工艺

    成炳勋

    <正> 前言制版工艺在半导体器件、薄膜混合集成电路的研制和生产中,所处的位置相当重要。制版质量的好坏,直接影响着产品的性能和成品率,甚至是成败的关键。在半导体器件向大规模集成电路飞速发展的今天,使得对制版工艺的要求越来越高。薄膜混合集成电路近年来也在不断发展,一方面集成度在提高;另方面基片尺寸在增大,电阻、引线尺寸在缩小(宽度方面)。过去采用的金

    1986年06期 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 239k]
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  • 硅片作基体的片状镍铬薄膜电阻器

    俞长贵,陈建南,顾霭云

    <正> Ni-Cr薄膜电阻器是用氧化的硅片作基体,真空蒸发一层Ni-Cr合金膜并用直接光刻工艺获得所需的电阻图形。组装后再用超声波切割进行随机动态调阻。它具有温度系数小、阻值高、长期稳定性好,微波特性好等特点。用于薄膜半导体混合集成电路,并适合作为表面装配技术中的片状元件。我们试制了250~300Ω/口的Ni-Cr电阻器。并用于混合集成的选频开关电路中。

    1986年06期 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 320k]
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  • 采用“积木”函数位移法设计声表面波电视中频滤波器

    王建文

    <正> 一、引言一个横向的声表面波滤波器(SAWF)的频率响应可以通过它的脉冲响应的付氏逆变换来求得。通过控制滤波器的叉指换能器(IDT)的指条位置和重叠长度即可控制IDT的脉冲响应,从而控制IDT的频率响应。关于对称频响的SAWF的设计,已有许多文献作了详细的报道。对于象电视中频SAWF这样既非偶对称,亦非奇对称的频响,其脉冲响应是一个复数,

    1986年06期 14-15+13页 [查看摘要][在线阅读][下载 140k]
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  • 汽相再流焊及其设备

    赵志海

    <正> 自1974年西屋电器公司首创汽相再流焊(蒸汽冷凝焊)以来,由于汽相再流焊的许多优点,它在微电子组装中的应用日益增多。汽相再流焊的原理比较简单:利用饱和蒸汽转变成同温度(沸点)下的液体时释放出的潜热,使焊料(预先涂在基板焊盘、元器件焊盘上)重熔,从而使所有焊点达到一次焊成(群焊)。汽相再流焊工艺必须具备合适的液体介质及适合汽相再流焊工艺要求的设备系统。

    1986年06期 16-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 440k]
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  • 一种回收二氧化钌的方法

    左泰森,闰书常

    <正> 金属钌是稀贵金属元索之一。钌元索化学性能特别稳定,尤其是钌的低价氧化物。钌元索在地壳中的丰度极小,大约为5×10~(-7)%,工人们从一吨矿石中只能提炼出一克金属钌。在厚膜电路生产中,钌的低价氧化物RuO_2得到广泛的应用。在电阻浆料配制、印刷时,粘着在器皿、丝网上的浆料,报废厚膜基片上的电阻膜,不同方阻印刷后的余料等皆为钌元索的大富矿,回收价值很高。

    1986年06期 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 167k]
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  • ZnO和Pt/ZnO多孔陶瓷的气敏特性

    詹欣祥

    <正> 在300℃和400℃下,对掺铂和不掺铂催化剂的多孔氧化锌陶瓷的电阻率变化和还原气体的化学变化进行测量,以验证其气敏机理和掺铂的影响。还原气体在传感器表面被氧化成CO_2和H_2O。掺铂可促进还原气体的氧化但不会导致400℃时电阻率变化的增大。考虑到碳氢化合物的分部氧化的中间产物,提出了气敏过程的反应程序。在铂上的氧化没有电子迁移过程。

    1986年06期 23-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 249k]
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  • Li_2B_4O_7的弹性、压电、声光和电光特性

    冯锦堂

    用提拉法(Czochralski)已成功地生长出透明、无芯、高质量的Li_2B_4O_7单晶;通过测量各种取向的棒和片子的谐振和反谐报频率,得到了晶体的全部介电、弹性和压电常数及其一阶和二阶温度系数。理论和实验结果表明,Li_2B_4O_7作体波或声表面波应用有潜在的前景。同时对Li_2B_4O_7单晶的光学、声光和电光特性也进行了测量。

    1986年06期 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 190k]
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  • 降低铌铁铅介质陶瓷损耗的研究

    朱卓雄

    Pb(Fe,Nb)O_3-Pb(Fe,W)O_3-Pb(Zr,Nb)O_3介质陶瓷能在低温下烧结;并可代替BaTiO_3陶瓷用于多层陶瓷电容器。系统地研究了工艺过程及添加物对降低该系陶瓷损耗的作用。研究了配方中添加少量MnO_2或MnO或硫酸锰溶液来控制介质损耗的问题,要得到最佳的介质特性必须小心控制化学计量比;还研究了锻烧及烧结温度与保温时间对介电常数及损耗的影响,并发现采用较快的升温速度是理想的。

    1986年06期 31-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 275k]
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  • 多层压电变压器

    李国华

    目前,利用刮刀法,在聚合薄膜上流延制作PZT瓷膜已相当容易。试用这种瓷膜片制作了具有适当内电极的电容器和调节器,内电极已显示出极为重要的作用。要查明内电极的作用,通常可先研究元件的功能特性,然后用计算机进行模拟分析。本文研究了具有专为避免分层而设计的内电极图案的多层压电变压器瓷片的制备工艺及多层压电变压器特性;并从实用的观点出发,推测和测定了输出电压和电流。

    1986年06期 36-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 161k]
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  • 电子陶瓷情报网第六次全网大会在峨眉县召开

    钟彩霞

    <正> 电子工业部电子陶瓷专业情报网建网十周年庆祝大会暨第六次全网大会于1986年10月25日至11月2日在四川省峨眉县召开。参加会议的有86个单位共107名代表。电子工业部元器件管理局情报处李松柏副处长出席了会议并就情报网的改革问题作了重要发言。

    1986年06期 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 47k]
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  • 半导体用聚酰亚胺薄膜的表征

    A.M.Wilson ,D.Laks ,S.M.Davis ,蒋启泰

    <正> 聚酰亚胺树脂作为一类化学品早在1926年就已制得。它们作为一种在250℃以上仍保持其电气和机械特性的塑料绝缘体而应用于电子工业也是早已得到公认。Harada及其在日立(Hitachi)中央研究实验室的同事曾就聚酰亚胺异吲哚喹唑啉二酮(简称PIQ)提出了报告。PIQ可用作大规模集成电路(LSI)多层布线的绝缘层及最后的钝化涂层。R.Rubner和同事又报导了一种可以简化半导体工艺步骤的光敏聚

    1986年06期 40-43+30页 [查看摘要][在线阅读][下载 274k]
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  • 在集成电路制造中聚酰亚胺涂膜的电子电导与离子电导本质的研究

    George.A.Brown ,梁子材

    <正> 由于在集成电路制造中多层布线系统和表面钝化技术的重要性日益增加,用聚酰亚胺(PI)涂膜作硅器件的多层绝缘介质和表面钝化保护材料巳引起人们的兴趣。以前已有报道,聚酰亚胺涂层能使台阶状的器件几何图形平面化,并具有优良的热稳定性和化学惰性,同时还研究了聚酰亚胺在使用过程中与电路的稳定性和可靠性有关的物理性能和电气参数。本文主要讨论由日立公司和杜

    1986年06期 44-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 498k]
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  • 用作集成电路密封胶的改性室温硫化硅橡胶

    Ching-Ping Wong ,江璐霞

    <正> 在所有有机和无机聚合物材料工业产品中,室温硫化硅橡胶是集成电路元件中防潮和防机械损伤最有效的密封胶。本文叙述了室温硫化硅橡胶的一般概念及其工业制备方法和固化机理。用掺入杂环聚醚作为杂质离子接受体,以固定杂质离子Na~+、K~+、Cl~-而改进室温硫化硅橡胶的电性能。看来,在电子工业中采用杂质离子接受体以防止杂质离子的迁移是有应用潜力的。

    1986年06期 52-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 361k]
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  • 用溶剂吸收法表征固化环氧粉末涂料

    W.A.Romanchick ,J.F.Geibel ,江璐霞

    <正> 在确定热固性聚合物的性能方面,交联是极其重要的因素。因为交联不但限制分子链彼此之间的相对运动,而且会增大分子量。虽然由于交联而聚合物显不溶性,但是聚合物网状体通常会吸收溶剂,而且为溶剂所溶胀,其中未交联(未固化)的部份则会溶解在溶剂中。当聚合物交联度增大时,吸收溶剂的倾向则降低。本文提出了测定固化环氧粉末涂料吸收甲乙酮的标准工艺

    1986年06期 57-60+20页 [查看摘要][在线阅读][下载 277k]
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  • 塑封集成电路器件用聚合物的热降解——阻燃剂的影响

    R.M.Lum ,L.G.Feinstein ,梁子材

    <正> 本文从分子水平的角度出发研究了阻燃剂对集成电路器件包封用热固性模塑复合物热降解的影响,同时研究了在塑封过程中与器件可靠性有关的问题。本文主要对以半导体级酚醛环氧树脂,半导体级有机硅环氧树脂和电子级酚醛环氧树脂为基础的三种模塑复合物的测试结果进行了比较。作者曾对包封用酚醛环氧树脂和有机硅环氧树脂的阻燃样品及其非阻燃样品进行过研究,本工作是过去研究工作的继续,本研究结果可适用于对半导体器件的老化进行研究。

    1986年06期 61-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 633k]
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  • 《电子元件与材料》1986年总目录

    1986年06期 68-69页 [查看摘要][在线阅读][下载 122k]
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