- 聂文昭
<正> 一、技术指标及外形结构为了适应尖端技术发展的需要,我们研制了一种小型高性能的CCW121型微调瓷介电容器。该电容器的主要技术指标如表1所示(为了便于比较,表1还给出关于这类产品的电子工业部标准及美军MIL标准)。由表1可见,CCW121型电容器的技术指标已达到或接近美军MIL标准,机械负荷试验
1986年05期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 136k] [下载次数：20 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：72 ] - 宋兴义
<正> 一、前言自钌系电阻诞生以后,大大改善了厚膜电阻的特性,很快代替了Pd-Ag电阻。就RuO_2电阻而言,它的高阻TCR很负,而低阻的TCR却又很正。为了克服高低阻值的TCR偏负与偏正问题,分别掺入CuO与MnO_2,使TCR得到改善。但是由于掺杂剂的加入也给电阻工艺特性带来不利。如高阻掺CuO则阻值对烧成温度变得十分敏
1986年05期 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 129k] [下载次数：40 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：66 ] - 苏明铁
通过被MnO_2层实验,借助于扫描电镜分析,讨论了MnO_2与Ta_2O_5膜的接触形式对固体钽电容器性能的影响。分析结果表明,MnO_2与Ta_2O_5膜的点面接触的存在,是导致被MnO_2层后,钽电容器漏电流增大的主要根源。
1986年05期 7-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 1370k] [下载次数：19 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：72 ] - 别其璋
本文介绍用于微带电路中的圆柱形介质谐振器TE_(01δ)模谐振频率的一种计算方法。应用计算机求解由修正的介质波模型导出的一组超越方程,得出了圆柱形介质谐振器谐振频率的数值解。给出了圆柱形介质谐振器高度、直径比和对应的归一化谐振频率的若干组数据表格,绘制了相应的曲线图。只要给定介质谐振器尺寸,便可以从图表中查出相应的TE_(01δ)模谐振频率,反之亦然。这些图表可供直接设计2～12GHz频段的介质谐振器选用。实验证明,用本方法求出的谐振频率误差总小于2%,当空气间隙较小时,这一误差更小。
1986年05期 15-18+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 215k] [下载次数：151 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：69 ] - 金同寿
<正> 陶瓷生产过程中的烧成工艺直接关系到所需主晶相能否形成以及已长成的晶粒的尺寸能否得到控制的问题。就烧成工艺而言,主晶相的形成取决于烧结温度和保温时间;晶粒尺寸控制则取决于保温时间和冷却速度。作者认为:由瓷料、烧结温度和保温时间确定的主晶相的形成,往往容易通过试烧试
1986年05期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 180k] [下载次数：22 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：58 ] - 刘一声
<正> 一、前言近年来,随着高压陶瓷电容器在同轴电缆传输系统中的电源分隔滤波器(PSF)和彩色电视接收机的倍压整流电路中,获得广泛应用以来,各国对高压陶瓷电容器技术的研究十分活跃。广大科学工作者在努力改进老材料的同时,正积极寻找新的介质陶瓷和包封材料。在器件设计和制作方面,竭力改进电极的结构和提高封装质量。于是许多新
1986年05期 22-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 317k] [下载次数：115 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：67 ] - 许持平
<正> 由于电子元器件的小型化,促进了微焊技术的发展。混合集成电路巳广泛采用微焊技术,在许多印刷电路板上也得到了应用,各种方式的钎焊组装工艺亦随之发展起来。为了了解和掌握微焊技术,我们根据日刊《电子技术》等资料编写了这篇文章。
1986年05期 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 209k] [下载次数：35 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：70 ] - 史祖法
<正> 一、前言随着电子工业的发展,Al_2O_3陶瓷在电真空器件、集成电路封装管壳以及各种陶瓷基板等方面得到了广泛的应用。对于其中相当一部分产品来说,需要将瓷件与金属部件钎焊封接为一体。而陶瓷与金属是难以直接钎焊的,解决的办法是在钎焊之前先将陶瓷进行金属化。目前对Al_1O_3陶瓷一般采用的
1986年05期 32-33+31页 [查看摘要][在线阅读][下载 191k] [下载次数：122 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：61 ] - 袁景跃
<正> 随着计算机应用范围的扩大,尤其是在工业设备中的应用,对电阻网络的需要量正在迅速增加。微信息处理机的应用,增加了数字电路的应用。电阻网络已被应用于家庭中,如彩色电视机、家庭磁带录像机、微波恒温箱等。在办公设备中电阻网络也得到应用,如
1986年05期 34-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 113k] [下载次数：32 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：75 ] - 李少利
在100级环境清洁度下,以甲酰铵作沉淀剂,用一致沉淀法从溶液中制取尺寸分布集中的球形高纯水合硫酸铝粉末。将氢氧化铝用静压法或沉积法成型,在1400℃下烧结,得出密度约为60%理论值的蠕虫状微观结构。若在成型前,先将粉末在900℃下煅烧,再在1550℃下烧结,则得出密度>95%的瓷体。严格控制各工序,带入的杂质就会很少。
1986年05期 35-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 307k] [下载次数：129 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：90 ] - 王元欣
<正> 一、概述以BaTiO_3系材料为介质的独石电容器,其介质的烧结温度高于1200℃,在-55～+125℃温度范围内,容量的变化为±15%。为了进一步提高独石瓷介电容器的电性能,降低材料成本,在七十年代中,曾研制出一种由玻璃-BaTiO_3系为介质的独石电容器。但是,由于BaTiO_3系介质具有铁电特性,
1986年05期 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：77 ] - J.N.Helbert
,M.A.Schmidt
,江璐霞
测定了一组乙烯基聚合物抗蚀剂和光致抗蚀剂的等离子体和活性离子蚀刻速率,以及离子铣蚀刻速率;并发现在合成中改变乙烯侧基取代基或改变光致抗蚀剂等20多种因素都会影响蚀刻速率。观察到含有重键及不饱和侧基的乙烯基聚合物抗蚀剂,以及负性印刷体系具有低的蚀刻速率及较好的蚀刻适应性。虽然有二三种乙烯基体系聚合物确实有很好的性能,但光致抗蚀剂体系一般都具有更好的蚀刻适应性。与聚甲基丙烯酸甲酯或SiO_2相比较,除了负性光致抗蚀剂外,乙烯基聚合物的蚀刻选择性和蚀刻方位对三种蚀刻技术都是相当稳定的。
1986年05期 43-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 404k] [下载次数：36 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：79 ] - S.A.Macdonald
,C.G.Willson
,蒋启泰
制得了一类新型的热稳定性光敏聚合物。在这一类聚合物中有对光不稳定的芳族酰胺键。这些聚合物能用于平版印刷凹凸图象,在微型电路制作中用作蚀刻掩模、以及用作光信息存储的对比介质。
1986年05期 50-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 222k] [下载次数：28 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：128 ] - Gay Samuelson
,张菊华
<正> 无论采用MOS技术或双极型技术要实现高密度布线或超大规模集成电路布线,必须由金属层和绝缘层相间组成多层结构。在多层结构中,层间绝缘的作用有三:(1)它必须保证在其下层的金属化图形上形成等平面,而通路孔必须使两金属层连接良好,以
1986年05期 54-58+72页 [查看摘要][在线阅读][下载 1049k] [下载次数：89 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：61 ] - Y.K.Lee
,J.D.Craig
,梁子材
本文确定了用聚酰亚胺涂料作为硅晶片钝化保护材料或绝缘介质材料的使用条件,重点研究了聚酰亚胺涂料在施工过程中粘合性能、成环固化性能和热稳定性所发生的变化。研究结果表明,氨基硅烷是一种有效的粘合促进剂。借助于傅立叶转换红外光谱仪的时间衰减扫描技术,测得了聚酰亚胺涂料的酰亚胺化速率。
1986年05期 59-66+14页 [查看摘要][在线阅读][下载 505k] [下载次数：201 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：48 ] - Atsushi Saiki
,Kiichiro Mukai
,Seiki Harada
,Yasuo Miyadera
,张菊华
<正> 大规模集成电路(LSI)非常迫切地需要高的封装密度,而多层布线在满足这些需要上则是必不可少的。为了实现高封装密度的多层布线,已经开发了用聚合物进行平面金属化(PMP)的技术。在这一技术中,聚合物作为绝缘层代替了通常使用化学蒸汽喷涂二氧化硅的方法(1)。为此,合成了一类新型的聚酰亚胶树脂,即聚酰亚胺异吲哚喹唑啉二酮(PIQ)。
1986年05期 67-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 887k] [下载次数：41 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：60 ] 下载本期数据