- 陶文成
<正> 设计和生产厚膜电路通常需要了解厚膜浆料的主要成份及各成份之间的量变关系。众所周知,厚膜浆料中很小的无机颗粒分散在粘性的有机载体里。厚膜导电浆料要求低方阻、高附着力、可焊性良好、耐腐蚀等。为了使产品的性能得到改良,改进和提高产
1986年03期 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 187k] [下载次数：123 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：63 ] - 李家寿
本文所介绍的交流金属化电容器的防爆装置——过压力断流器是我厂按IEC有关标准和有关文献资料通过一年的时间,于1984年研制成功的,目前已处于进一步扩大实际应用范围的阶段。本文概述了交流金属化电容器的生产现状和研制防爆装置的目的和意义,对这种电容器的爆炸机理和引起爆炸的原因进行了分析,接着介绍了这种电容器的防爆装置——过压断流器的原理、性能要求、评定试验方法,最后,简要介绍了它的应用情况。
1986年03期 4-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 428k] [下载次数：73 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：64 ] - 范福康
以氯化钡溶液和四氯化钛溶液为原料,以碳酸铵为共同沉淀剂,在本试验条件下获得了非晶态化合物Ba_xTi_y(OH_(2x+4y))。用差热,失重,X射线衍射及化学分析等方法研究了上述共同沉淀物在加热过程中的变化。结果表明,2Ba(OH)_2·9Ti(OH)_4在加热过程中首先在700℃左右形成钛酸钡(BaTiO_3),随后于1000℃左右生成四钛酸钡(BaTi_4O_9),在1200℃左右形成最终产物九钛酸钡(Ba_2Ti_9O_(20))化合物。
1986年03期 12-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 199k] [下载次数：56 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：75 ] - 杨春碧,赖韵华
<正> 一、概述随着电子工业的迅速发展,敏感元件在各行各业得到了广泛应用,正温度系数热敏电阻器,彩电消磁用热敏电阻器的需求量日益增加,小作坊式、小批量生产已不能适应。采用小作坊方式生产的产品质量差,生产率低,特别是一致性和稳定性差,阻值对号率低,合格率低,热敏电阻器基体的烧结直
1986年03期 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 217k] [下载次数：68 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：111 ] - 曲喜新
<正> 一、前言虽然近廿多年来,对这个系统的导电机理已有不少作者进行过研究,但是至今仍有一些问题不清、机理不明。引起这种简况的原因有以下一些。(1)在结构上,Ta-Ta_2O_5—对电极系统是一个比较复杂的系统。这首先表现在有各种不同的对电极:金属、半导体、电解
1986年03期 19-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 482k] [下载次数：53 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：101 ] - 鲍显龙,高世梅
本文描述了适用于铜电极的LaB6厚膜电阻浆料,在以前的工作基础上,对LaB6的球磨工艺、玻璃釉的组分以及有机载体进行重新选择和实验,从而得到具有优异电性能的厚膜电阻浆料。
1986年03期 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 189k] [下载次数：100 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：83 ] - 刘云书
<正> 从陶瓷材料的大批量生产的工艺技术、元器件的广泛应用,世界市场的占有率以及生产的产值来看(见表1),日本电子陶瓷材料和器件的发展领先于美国;民用陶瓷产品的质量也优于美国;而成本又低于美国。因此,了解日本陶瓷材料和器件的发展状况,对提高我国电子陶瓷材料和器件的科研
1986年03期 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 825k] [下载次数：120 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：55 ] - 易惠中
<正> 前言气体传感器在一般家庭、工厂里出现中毒、爆炸或环境污染等问题日益严重的情况下,越来越受到人们的关注,在各种传感器中,占有非常重要的地位。人们很早就知道半导体特别是金属氧化物半导体在接触O_2、NO_2、CO等气体时,它的电导率成功函数将发生变化。从五十年代到六十年代初期相继发表了Hauffe、Weitz
1986年03期 35-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 331k] [下载次数：240 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：61 ] - 张汉昭
<正> 新型混合微电子电路的出现促使电位器向微片化方向发展。微型片式电位器的外形尺寸取决于电阻导轨基片的大小。国际上通常是按电位器的外形尺寸来分类。微型片式电位器可分成:3型(3×3mm)、4型(4×4.5mm)、6型(6.4×8mm)。若按用途分类可分成:电流调整型(两个电极引出,3型、4型、6型);电压调整型(三个电极引出,
1986年03期 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 194k] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：56 ] - 沈德元
<正> 滑石瓷的生产过程比普通陶瓷复杂,其主要表现在原料制备及烧成工艺两个方面。其中材料制备需经过下列过程:生滑石预烧→配料湿球磨→压滤脱水→泥饼造粒→瓷料煅烧成烧快→粗、细干球磨→和蜡制成料饼备用。如此冗长的过程给生产增加了许多不便。特别是生滑石及瓷料煅烧、粗、细干球
1986年03期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 172k] [下载次数：141 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：90 ] - 韩为民
<正> 研制更复杂的集成电路(IC),如芯片尺寸较大、产生较大功率的IC、发射极耦合逻辑电路(ECL)、甚大规模集成电路(VLSI)和激光二极管等,均需要一种新的导热性良好的封装。据报导,在有限的几十种非金属无机固体材料中,氮化铝(AlN)是最有发展前途的,热导率大于100W/m。K
1986年03期 48-50+18页 [查看摘要][在线阅读][下载 819k] [下载次数：95 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：67 ] - 张杰
在电子设备小型化的今天,随着片状元件自动安装机的广泛应用,片状独石陶瓷电容器市场出现了显著增长的趋势。高密度装配范围已扩大到中、高压片状电容器和用于高频大功率的高质量片状电容器,高压电容器的工作电压高达数千伏。随着介质和电极材料的发展,将来一定能生产出高质量、小尺寸、低成本的产品。近来人们已在试验用液相法从烃氧基金属中合成钛酸钡类陶瓷;探讨使用无定形陶瓷作为介质材料的可能性;已经开发了一种以贱金属镍(Ni)或铅(Pb)为内电极材料的实用性的电容器。
1986年03期 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 155k] [下载次数：68 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：82 ] - 宋子庆
通过迅速淬火和正常冷却试样的方法,用传输电子显微镜研究处于不同制作阶段的钛酸锶内边界层电容器的微观结构。含有过量的TiO_2、Al_2O_3和SiO_2的SrTiO_3混合物,在烧结温度下具有一个完全浸润的液相;在冷却过程中,TinO_2n_(-1)MgLi(TinO_2n_(-1)Magelini)相沉积在多个晶粒接合处;在烧结以后的热处理过程中,所扩散的金属氧化物和助熔剂(Bi_2O_3、PbO、CuO和B_2O_3)以液相形式沿着边界迅速地渗透。这种液相在缓慢冷却过程中逐渐消失。
1986年03期 53-58+62页 [查看摘要][在线阅读][下载 2175k] [下载次数：40 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：86 ] - 吴瑞生
<正> 自动化在丝网印刷、元件组装和引线连接中,为线状和片状混合电路的制造解决了关键。廉价劳动力市场竞争的威胁促使许多公司考虑混合微型电路生产加工的自动化,以达到最大程度的生产能力。消除人员因素的设想将会在相应的廉价下使生产率大大提
1986年03期 59-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 251k] [下载次数：12 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：54 ] - 夏建弘
<正> 引言NO_2是有毒气体,所以在环境保护中要求NO_2含量低于30至40ppb,而工业卫生水平要求NO_2含量低于5ppm。本文描述的NO_2传感器,它所能检测的NO_2浓度范围为1ppb至10ppm。所用材料是酞菁化铅薄膜(LeadlPhthatocyanine,符号为PbPc)和无金属酞菁薄膜(Metal-
1986年03期 63-64+11页 [查看摘要][在线阅读][下载 141k] [下载次数：37 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：138 ] - 林江
,俞竟成
<正> 电子工业部哈尔滨电子敏感技术研究所研制的陶瓷湿度传感器于一九八六年二月二十四日通过鉴定。鉴定会由电子工业部元器件局主持召开;验收组由有关单位的教授、专家组成。该产品具有抗污染能力强、耐高温、体积小、重量轻、寿命长、响应快(<10s)、精度高(滞后误差≤4%RH)等优点;且一致性良好,在11%RH下,阻值R为10～
1986年03期 65页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：68 ] - 李相彬
<正> 南京大学研制成功的FS型单相无调谐低损耗声表面波滤波器,已于今年上半年通过江苏省电子厅技术鉴定。该产品插入损耗小于5dB;中心频率为10MHz～500MHz;相对带宽为2%～5%;边瓣抑制大于40dB;远瓣(2f_0、3f_0……)抑制大于60dB。其主要技术指标已超过国外同类产品。产品质量一致性好,便于工厂大批量生产。
1986年03期 65页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k] [下载次数：11 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：71 ] 下载本期数据