刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 铝电解电容器高频性能的计算机模拟分析

    陈国光,白洋

    <正> 引言对开关型稳压电源专用的高频铝电解电容器要求尽可能低的阻抗、等效串联电阻和固有电感。这就要对该类产品在结构设计、材料选择等方面予以特殊考虑。这些考虑包括:确定结构、材料参数影响总体电性能的因素、局部改进效果的预测、最佳组合参数的寻求以及总体性能的预测等。本文提出了解决这些问题的一个有效方法,即采用计算

    1986年02期 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 282k]
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  • RTX型碳膜电阻器质量的电子能谱分析

    王文生

    <正> 一、前言RTX型碳膜电阻器是目前国内生产量及使用量都最大的一种薄膜型电阻器。多年来,经过生产和科研部门的不断努力,产品质量已有很大提高。但同国外先进水平相比仍存在着较大的差距,特别是高阻值电阻器的差距更大。在质量认证工作中普遍感到有二项技术指标不易达到。一项是70℃耐久性

    1986年02期 6-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 227k]
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  • 微带薄膜电容器的研制

    曹经华

    本文叙述了微带薄膜电容器的设计制造工艺,并测量了电特性。这种电容器电容密度可在20pF/mm~2到100pF/mm~2范围内变化,在微波集成电路中有广泛的用途。电容器采用溅射钽薄膜作为电容器下电极,阳极氧化五氧化二钽和高频溅射二氧化硅为介质,再以蒸发铬金作为上电极。此种电容器适于大批量生产,最终以芯片形式焊入微电路中。电容器的电容特性和长期稳定性一般都超过一氧化硅薄膜电容器。

    1986年02期 10-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 274k]
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  • 提高金—钯厚膜导体老化结合强度的尝试

    俞守耕 ,刘婀娜

    <正> 金—钯厚膜导体不如银—钯厚膜导体使用那样广泛。但在有些军用的厚膜线路中拒绝用银,因为已有因银迁移而失效的教训。在这种情况下,采用金—钯导体是最经济的解决办法(1)。但是,钯的存在,钯的氧化—还原性质阻碍了金—钯导体在800℃以下烧结过程中的密度增长。与金—钯导体比较,烧成膜的致密性差(2)。热老化过程中,锡较易往导体

    1986年02期 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 158k]
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  • 厚膜多层电路的布线设计

    蔡松鹤 ,汪智权

    <正> 前言以半导体芯片为主体的微组装技术使电路的集成度大大提高,并且使电路功能更为复杂与完善。厚膜多层电路是微组装技木中一种主要的电路形式,应用广泛。布线设计是多层电路试制与生产的关键工序,有必要研究实用的布线技术,加快试制和生产的进程,提高电路性能。本文主要从实用的观点

    1986年02期 18-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 289k]
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  • 固体钽电解电容器的进展

    曲喜新

    <正> 一、前言由于钽及其阳极氧化物Ta_2O_5的化学性质异常稳定,可以使用电导率很大的强性电解质,再加上Ta_2O_5薄膜的介电性能非常优良,所以使钽箔电解电容器的许多性能明显地优于A1箔电容器。将钽箔阳极换为高温真空烧结的多孔钽块以后,钽电解电容器的优越性更加显示出来。这是因为多孔钽块的比表面积远大于钽

    1986年02期 23-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 597k]
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  • 新型结构陶瓷

    李学文

    <正> 前言作者曾在《电子元件与材料》1982年第一期上发表过“电子陶瓷大有可为”一文。随着时间的流逝,该文的论断有的已成现实,有的即将变成现实。当前结构陶瓷的发展似乎比不上功能陶瓷迅猛,因而有人误认为这类“老牌”材料前景不妙,“油水”不大,甚至到了不问其发展,任其自然的程

    1986年02期 32-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 389k]
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  • 国外集成化压力传感器发展概况

    刘忠玉

    <正> 前言集成化传感器可分为两大类。第一类,把文字、图形、物体的二元或三元图象变换成电信号的成象传感器;第二类,把传感器接入电子电路形成一个整体,使传感器正从元件向器件发展。集成化压力传感器中,使用最广的是利用硅的压阻效应的电阻敏感元件。过去,虽然压力传感器种类繁多,但需求量小,因此

    1986年02期 38-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 402k]
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  • PbTiO_3陶瓷及其应用

    肖鸣山,张子清

    <正> PbTiO_3陶瓷具有居里温度高、介电常数小、晶粒小、厚度扩胀模机电耦合系数较高以及温度稳定性好等优点,在高温和高频等领域中大有发展前途。目前,采用通氧、热压烧结等工艺,已试制出能满足高频声体波器件和声表面波器件要求的改性PbTiO_3陶瓷。本文介绍几种改性PbTiO_3陶瓷的典型配方、性能及应用。

    1986年02期 45-48+44页 [查看摘要][在线阅读][下载 254k]
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  • 用聚酰亚胺作隔离介质的薄膜多层布线工艺

    陶士杰

    本文介绍了用聚酰亚胺作隔离介质的薄膜电路多层布线的设计和制造工艺。这种多层布线用于薄膜电路的生产,使我厂薄膜电路在相同条件下,缩小了体积,提高了产品可靠性,使薄膜电路在生产上有了新的突破,为片状元件的组装技术打下了基础。对薄膜多层布线的设想和发展趋势作了一定的论述和展望。同时对于所使用的介质材料提出了更高的要求。

    1986年02期 49-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 203k]
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  • 低频独石电容器瓷料的低中温烧结

    高宏庆

    <正> 近年来,国内外独石电容器的发展非常迅速,目前正处于高潮。国内主要生产以银为内电极的低温烧结独石电容器,其电性能不十分理想,膜片比较厚,进一步缩小体积有困难,远不能满足整机对元件片状化的要求。近几年,不少企业拟从国外引进先进的

    1986年02期 52-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 278k]
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  • 多层陶瓷电容器生产中的切块

    刘圣模,王振平,陈德敷

    <正> 一、概述多层陶瓷电容器(简称MLC,下同)是当前国内外正在大力发展的片状元件之一。由于它具有比容大、装配空间小、适于平面安装等特点,因而广泛用于高频和超高频电路及混合集成电路中。随着电子工业军、民用产品的发展,其需用量越来越大。大家知道,在MLC生产过程中,切块

    1986年02期 57-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 220k]
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  • 多层陶瓷电容器用高介材料

    杨建

    <正> 一、前言近年来,市场上对多层陶瓷电容器的需求增长得十分迅速,日本1978年的月产量仅为2000万只,1982年的月产量为4亿只,1985年月产量增长到10亿只,连年持续飞速发展。预计1987年的月产量将增长到15亿只。随着需求量的不断增长,对多层陶瓷电容器的要求也越来越高,其中需要解决的重大课题是(a)高性能、大容量、小型化;

    1986年02期 61-68+37-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 525k]
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