- 曲喜新
<正> 一、前言 混合集成电路从1943年出现以后,经历了几次大的发展,现在已经从原型发展到超大规模阶段。在这漫长的发展过程中,由于一时还制不出实用的膜式有源器件和某些无源元件,所以需要在混合集成电路中外贴上一些分立元器件。显然,这些分立元器件需要在结构形式上适合于混合集成电路。
1985年05期 2-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 414k] [下载次数：23 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：81 ] - 胡南山,姚国荣,俞志中,乔世忠
在五氧化二钽介质薄膜上复合一层二氧化铅掺杂二氧化锰的半导体薄膜首次制作成功了TLMM薄膜电容器。由于应用射频衬底偏压溅射和Al占93％的钽铝下电极,还应用了在PbO_2中掺杂MnO_2,以及真空充氧热老化等方法,不仅使电容器的损耗角正切值降低至0.1—0.3％(1kHz),而且温度系数也得到了改善。
1985年05期 6-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 487k] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：80 ] - 郑海涛
本文讨论了用气体离子化淀积技术制作类金刚石薄膜的方法,并研究了使用乙炔气体时的工艺条件。薄膜的性能与加速电压、基片温度、磁感应强度等淀积条件密切相关。在合适的条件下薄膜的威氏硬度可大于蓝宝石,有良好的导热性,且在电绝缘、耐腐蚀性等方面均接近金刚石的性能。电子衍射图像表明,薄膜中含有微小的金刚石晶粒。
1985年05期 12-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 787k] [下载次数：60 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：68 ] - 左长明
<正> 研究钽硅介质薄膜,有两个目的:(1)用同一薄膜材料制成阻容元件,简化薄膜电路的制造工艺;(2)改进钽基介质薄膜的性能。 对钽硅电阻薄膜研究表明:其电性与Ta_2N膜类似,但稳定性却优于Ta_2N电阻薄膜。本文的研究结果表明,钽硅氧化物薄膜中Si含量在20～50at％范围内,其介电
1985年05期 16-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 406k] [下载次数：33 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：50 ] - 韩鹏
<正> 日本久保田铁工公司和大阪工业技术试验所,最近研制成功了一种在1300℃下仍能保持高强度的新型微粒陶瓷。 这种微粒陶瓷采用耐磨、耐高温、耐氧化的氮化硅粉末为原料。由于只用氮化硅不能形成固体材料,所以在原材料中还必须加入一些添加剂。
1985年05期 20页 [查看摘要][在线阅读][下载 85k] [下载次数：15 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：89 ] - 王居恕
<正> 一、提高集成度 微波集成电路(MIC)固有的特点是小巧、灵活、重复性高,便于重复生产,可靠性也有一定的水准。但是如果在一个系统中采用许多分立器件,就会出现新的问题。因为同轴至微带过渡接头不可能象同轴、波导系统那样,把驻波比做得很小,通常在1.2以下已比较困难。如果有20个分立器件组成
1985年05期 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 378k] [下载次数：24 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：83 ] - 周世良
<正> 制取廉价的低温度系数(α_c)及高介电常数(ε)的陶瓷材料,是广大陶瓷材料研究者的多年愿望。添加MgO、La_2O_3、BaO、Bi_2O_3等氧化物的各种钛酸盐陶瓷材料,当α_c值趋近于零时,其ε值均较低。虽然添加Nd_2O_3、Sm_2O_3等稀土氧化物对提高ε和改善介电特性均能收到较好的效果。但因其价格昂贵而未能推广应用。
1985年05期 24-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 455k] [下载次数：60 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：93 ] - 陈重华
<正> 由电子元件学会与电子陶瓷情报网联合筹备的功能陶瓷暨电视机用陶瓷元件生产技术经验交流会于9月13日至17日在苏州召开。会议由九九九厂主办,苏州电容器厂协办。到会代表计有厂、所、院校、公司、出版社等80个单位共121名代表。
1985年05期 29页 [查看摘要][在线阅读][下载 120k] [下载次数：7 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：49 ] - 孙慷
本文介绍了采用一般工艺研制的以Nd、Mn、In改性的PbTiO_3压电陶瓷的性能及其测试方法;并探讨了In含量与瓷料的晶粒尺寸、表面波延迟温度系数及传输损耗的关系。以化学分子式为(Pb_(0.88)Nd_(0.1))(Ti__(0.92)Mn_(0.02)In_(0.06))O_3的配方获得了晶粒尺寸为0.5～1.8μm; 抛光表面气孔小于1.5μm;表面波传输损耗为4dB/cm(30MHz);相对介电常数为210;机械品质因数为1800;表面波延迟温度系数为20ppm/℃(0～80℃)优良压电陶瓷材料。本文研究了这种陶瓷材料在SAW中的应用。
1985年05期 30-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 836k] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：73 ] - 张福学
本文简述三轴压电晶体角速率传感器的发明背景、原理、结构及其性能。
1985年05期 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 222k] [下载次数：39 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：85 ] - 南策文
本文探讨了ZnO压敏电阻器的失效物理基础问题,讨论了两种失效模式——退化失效和致命性失效及其失效机理,找出了失效与显微结构、组成及工艺的相关性。
1985年05期 37-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 783k] [下载次数：122 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：95 ] - 万大范
<正> 自1980年以来,我所连续多次承担了多全国CA型及CA30型钽电解电容器的质量评比试验。在进行质量分析的过程中,我们参阅了一些国内外文献,发现几乎所有的资料都谈到了Ta_2O_5介质膜的晶化对电容器性能的影响,这使我们产生了浓厚的兴趣。为了验证和探索有关理论,我们利用本所掌握大
1985年05期 42-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 1870k] [下载次数：52 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：83 ] - 池同
本文重点阐述铝电解电容器在脉动电路中交流分量有功发热的传统计算公式在表达形式上的错误和实践运用的缺陷,通过对铝电解电容器等效电路的分析推荐具有普遍意义的计算公式;同时对铝电解电容器新技术标准在承受交流负荷方面规定的脉动电流做了一些讨论,说明在计算有功发热功率时对直流有功部分能否忽略要具体分析,推荐一个分析公式。
1985年05期 46-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 636k] [下载次数：81 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：71 ] - 崔黎明,王连渠
<正>一、前 言 铝箔腐蚀是生产铝电解电容器的重要工艺,国外早已采用电化学机械联动腐蚀进行生产。我国近几年自制和引进了生产线,使我国铝箔腐蚀工艺水平有了很大的提高。但总的来说,我国目前的水平还比较低,特别是对电化学机械联动腐蚀的实质、机理等研究不够。
1985年05期 55-59+75页 [查看摘要][在线阅读][下载 507k] [下载次数：83 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：70 ] - 王书运,王少臣
<正> 目前在我国尚没有专门生产硒化银的厂家。为制备硒化银,我们就其烧结温度和保温时间等进行了试验,并获得了较满意的结果。 一、实验 按硒化银的摩尔比称取银粉和硒粉并研磨混匀,在抽真空条件下将其密封在硬质玻璃管里。然后在35℃下将所制备的五个试样分别焙烧36小时(81-m-1-1)、42小时
1985年05期 60-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 154k] [下载次数：201 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：50 ] - 郭小瑜
<正> 我们将半导体BaTiO_3陶瓷置于PbO、Bi_2O_3及CuO气氛中在1000～1300℃下进行了热处理,并研究了其显微结构及电气性能。为了使电阻率超过10~9Ω·cm,所需要增加的重量对氧化铅来说为3.5％(wt),对氧化铋和氧化铜来说则小于0.5％(wt)。
1985年05期 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 360k] [下载次数：35 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：109 ] - 张新春
<正> 近年来,国内对固体电解质烧结钽电容器的工艺研究开展得很活跃。对二氧化锰被覆工艺的探讨,有了新的突破;高比容钽粉正在推广使用,在研究降低漏电流方面也取得了一定进展。本文将分析钽阳极氧化膜的热处理对漏电流的影响。 可靠性实验已经证阴,固体钽电解电容器的主要失效模式是漏电流增大。其表现形式有两种:一是漏电流增大,在极短的时间
1985年05期 64-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 175k] [下载次数：120 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：60 ] - 章士瀛
<正> 今年五月底出席了在美国华盛顿市召开的第35届国际电子元件会议之后,参观考察了几家电子元件厂,从一个小的侧面看到了美国电子元件的生产情况,有许多可供借鉴和参考的地方。 一、参观考察记实 这次在美国共考察了五家公司。本文只介绍四家公司的情况,未包括参观EXEL大规模集成电路生产厂的情况。
1985年05期 66-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 764k] [下载次数：147 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：74 ] 下载本期数据