刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 我国第一条高质量碳膜电位器生产线投产

    杨汉池

    <正> 十一月二十七日,我国第一条从国外引进的高质量碳膜电位器生产线验收剪彩仪式在成都国营宏明无线电器材厂隆重举行。电子工业部、四川省、成都市领导和以日本Alps电气株式会社社长片冈胜太郎为首的七位日本朋友以及各方面来宾共五百多人参加了验收剪彩仪式。 高质量碳膜电位器生产线,主要是为彩色电视机、黑白电视机、收录机的生产配套而从日本具有第一流电位器制造技术的Alps电气株式会社引进的。引进线包括零件制造技术和

    1984年06期 2-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 1595k]
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  • 钽硅电阻薄膜研究

    左长明

    <正> 如果一种薄膜材料能同时被用来制作电容器和电阻器,将会给薄膜混合集成电路的制造带来很大的方便。而钽硅薄膜正是这样一种薄膜材料。 钽硅薄膜通常用反应溅射和共溅射方法制备;也有用烧结的合金为靶,进行阴极溅

    1984年06期 2-5+14页 [查看摘要][在线阅读][下载 294k]
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  • 提高镍铬薄膜电阻网络稳定性的工艺探讨

    郑开甲

    <正> 探讨薄膜精密电阻网络的稳定性,不外从材料和工艺两方面着手。在材料方面作者就Si对Ni-Cr电阻性能的影响曾作过研究。本文则探讨某些常规工艺对电阻性能的影响,提出消除不利因素,提高精密电阻网络稳定性的工艺措施。

    1984年06期 6-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 189k]
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  • 掺硼和热处理对ZnO压敏电阻的电流稳定性的影响

    白铁城,王培英,陈志雄

    本文研究了ZnO压敏电阻在交流和直流电压的长期作用下,漏电流的蠕变规律、Ⅴ-Ⅰ特性的变化以及热激活电流;在肖特基势垒热电子发射导电模型的基础上,分析了ZnO压敏电阻小电流性能的蜕变机制。从理论到实验研究了不同配方和工艺以提高ZnO压敏电阻的电流稳定性的方法。结果认为:适量的掺硼和适当的热处理工艺,都能改善ZnO压敏电阻的电流稳定性,而热处理方法更容易得到好的效果,同时也提出了上述方法对大电流性能可能带来的影响。

    1984年06期 9-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 391k]
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  • 中温玻基银带烧成的研究

    傅俊川,赵昆和,赵玲

    本文主要研究新型玻基银带的中温烧成过程。用差热分析和显微镜分析了银带中玻璃釉粘合剂的软化过程和熔融温度,并结合红外光谱的分析,考查玻璃釉对GG17玻璃基体的作用。最后,对中温玻基银带的烧成机制和模型进行了探讨。

    1984年06期 15-17+49页 [查看摘要][在线阅读][下载 264k]
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  • 压电陶瓷材料与滤波器的进展

    毛祖佑

    <正> 前言 压电陶瓷材料是最重要的压电材料之一。1946年人们发现了钛酸钡陶瓷的压电性,从而开创了对压电陶瓷材料及其应用的研究工作。1954年Jaffe等人对PbZrO_3—PbTiO_3二元系的压电性能进行了研究。五十年代至六十年代,美国Clevite公司(现为Vernitron公司)进行了二元系的大量改

    1984年06期 18-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 527k]
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  • 国外厚薄膜电路水平综述——厚膜电路的材料(二)

    刘文廷 ,董乃华 ,梁忠民

    <正> 一、基板材料 国外常用的基板材料有冻石、镁橄榄石、玻璃、珐琅、金属、有机材料等等。 在混合IC所用的基板中,96%氧化铝基板一直占有极大的比例,它是厚膜电路比较理想的基板材料。西欧普遍采用的96%氧化铝基板的表面光洁度为0.4~0.6μm,最高水平为0.3μm。近几年把注意力放在提高氧

    1984年06期 26-30+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 422k]
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  • 蒸汽被膜工艺

    刘志亮

    <正> 在制造固体钽电解电容器的过程中,所被覆的MnO_2层的质量将直接影响到最终产品的性能。按常规的被膜工艺在干热气氛下分解硝酸锰所获得的二氧化锰层,β-MnO_2的含量较低,结构松散,电阻率高,抗振性差;且由于分解温度较高、被膜循环次数较多五氧化二钽膜受到较大的破坏,从而导致

    1984年06期 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 264k]
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  • 如何提高贮能焊接薄膜电路金属外壳的质量

    葛春林

    <正> 我厂生产的薄膜混合集成电路,是采用标准化金属封装盒,用熔焊法焊接密封。焊接时,封装盒内充有高纯氮气,产品的漏泄率要求不高于1×10~(-6) atm、ml/sec,使电路片和管芯处于干燥洁净的环境里,不受外界气氛的影响,保证电路长期、稳定地进行工作。

    1984年06期 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 213k]
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  • 热压铸成型坯件的机械加工

    沈德元

    <正> 热压铸成型工艺不仅具有设备简单、操作方便、生产效率较高这样一些优点,而且对于一些尺寸较小、结械较为复杂、精度要求又较高的产品的成型,也具有其他陶瓷成型方法无可比拟的优越性。因此,这种成型方法已在无线电陶瓷工业生产中得到广泛的采

    1984年06期 38-39+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 197k]
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  • 高导热SiC基板材料

    王吉生

    <正> “1980年日立技术展览会”上发表了具有与金属铜一样的热传导性,并且绝缘性好的陶瓷,即“高导热性、电气绝缘性好的SiC陶瓷”。一般地说来,陶瓷的特点之一,就是具有优良的电气绝缘性能,而其热传导性却非常差。但实际上,在需要散热的电气、电子产品领域中,总期望有电气绝缘

    1984年06期 40-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 405k]
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  • 额定直流电压高的金属化塑料膜电容器

    戴富贵

    金属化聚对苯二甲酸乙二酯(涤伦)薄膜电容器,由于其可靠性高和体积小(大约只有类似的纸介箔式电容器体积的四分之一),近几年来也用于直流高压。它的优点主要是自愈特性,在任何介质击穿处的周围,薄的电极层因局部发热而蒸发掉。因此,在设计高压电容器时,可以最充分地利用塑料膜的高抗电强度而不考虑其弱点。

    1984年06期 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 245k]
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  • 金属化聚丙烯电容器的电性能和老化机理

    徐德明

    <正> 绪言 金属化塑料膜电容器,包括涤纶和聚碳酸酯金属化电容器,在直流电路中使用已经有20多年的历史了。在最近的5~10年间,干式金属化聚丙烯电容器已为欧州、美国和日本等国家所接受,应用于交流马达移相和荧光灯功率因素调整。在这方面使用的电容

    1984年06期 50-55+64页 [查看摘要][在线阅读][下载 447k]
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  • 性能优良的旁热式热敏电阻

    张榴桢

    <正> 旁热式热敏电阻是以改变输入电流引起温度变化的方法来改变输出电阻的控制用元件,它广泛应用于各种电路,调整传输系统的自动增益。然而,通常的旁热式热敏电阻抗机械冲击强度低,阻值老化快。[日本特许公报,昭47——37746,昭和47年(1972)9月8日]报导了一种新颖结构的旁热式热敏

    1984年06期 56-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 200k]
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  • 试成两种超高比容钽粉

    曹妙泉

    <正> 钽粉是制造钽电解电容器的关键结构材料,钽粉的质量直接影响着钽电解电容器的质量。因此,新型钽粉的研制,对钽电解电容器的发展具有十分重大的意义。 今年六月廿九日,中国有色金属工业总公司对两种新型的超高比容钽粉,通过了部

    1984年06期 59页 [查看摘要][在线阅读][下载 64k]
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  • HYCZ厚膜延迟线

    乔明伟,杨宗贵

    <正> 延迟线是一种电的传输器件。它起着把电讯号延迟已知的或固定的时间而不改变讯号的其它特性的作用。延迟线的要素是:延迟时间,上升时间(或带宽或质量因子),衰减,失真,特性阻抗,最大工作电压,延时温度系数,延迟线的体积及重量。

    1984年06期 60-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 120k]
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  • 国营宏明无线电器材厂1984年度新产品

    魏道兴

    <正> 一、MF512厚膜负温度系数线性热敏电阻器 目前国内生产的热敏电阻器大都为非线性的,需要用复杂的线化网路才能在一定温区内满足二次仪表使用要求,或者采用昂贵的金属铂作为基体,因而使用受到限制。本产品在100℃的温度范围内,其TCR约为

    1984年06期 61-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 137k]
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  • 《电子元件与材料》1984年总目录

    1984年06期 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 173k]
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  • 国营七一五厂十九项新产品通过鉴定

    锡人

    <正> 七一五厂研制的十九项新产品十二月上旬在成都通过鉴定。 来自电子工业部、四川省电子厅、成都市电子仪表局、有关科研设计单位、高等院校、同行业工厂以及用户单位的专家、教授、高级工程师、工程师九十余名代参加了鉴定会。鉴定委员会由十七人组成,电子工业部元器件管理局副总工程师郭以述任主任委员,四川省电

    1984年06期 65页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k]
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  • 阻容情报网第五次全网大会在庐山召开

    <正> 阻容情报网第五次全网大会于1984年10月14~20日在江西庐山召斤。出席会议的有97个单位共106名代表。 电子工业部元器件管理局潘尊五副处长出席了会议,并在会上就情报网的整顿问题作了重要发言。网长章士瀛同志在会上作了情报网工作总结报告。《电子元件与材料》编辑部向大会作了工作汇报。

    1984年06期 65页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k]
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