刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 有机薄膜介质可变电容器极片复盖面积计算方法的改进

    殷光远

    <正> 在设计有关薄膜介质可变电容器电容曲线的时候,电容曲线各设计参考点的增量电容值一般是已知的。在确定了介质的种类、厚度、动片与定片间的设计片距和片数以后,首先计算出动片和定片的最大复盖面积,然后根据电容曲线的要求设计片型。准

    1982年03期 1-5+8页 [查看摘要][在线阅读][下载 266k]
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  • 低成本低损耗微波集成电路新工艺——铁铬铝-铜-铜(电镀)-金系统的制造

    彭传才,金昭廷,谢淑云

    <正> 前言随着微波集成电路应用领域的不断扩大,对制造工作者提出了两个迫切的问题:一是降低成本,二是提高性能。由于金具有较低的电阻率和良好的抗腐蚀性,目前制造微波集成电路的单位大多数都采用铬-金-金或镍铬-金-金金属系统。但是,

    1982年03期 6-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 212k]
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  • 电容器高频参数的测量和应用

    章锦泰,王振平

    本文论述用于集中参数和分布参数电路的电容器的高频参数,介绍测量电容器高频参数的传输法原理和计算公式,给出了常用电容器的高频参数和部分阻抗频率特性曲线,并对测量结果进行了分析,提出了改进电子元件结构设计的途径,说明了利用高频参数正确选择和合理使用电容器的定量方法。

    1982年03期 9-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 425k]
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  • 多芯片多层陶瓷片状载体的研制

    潘吉才,牛征虎,王玉坤

    <正> 一、引言片状载体是在七十年代初首次由美国3M公司提出并研试成功的。这是一种正方形的多层陶瓷封装结构,由DIP(双列直插封装)除去引线演变而来的。这种微封装技术在国外发展得比较快,已应用于计算机、视频、选通电路用的LSI等产品中。目前国外有很多公司,如美

    1982年03期 20-23+19页 [查看摘要][在线阅读][下载 469k]
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  • 用二次集成技术试制薄膜相敏解调放大器

    张海山

    <正> 据报道,国外已经比较广泛地应用细线工艺、多层布线和二次集成技术生产和研制薄、厚膜混合集成电路。然而,这些新技术在国内却较少应用。薄膜相敏解调放大器是我们应用二次集成技术试制的一种薄膜混合集成电路。该电路应用了我所设计和生产的五块半导体线性

    1982年03期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 179k]
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  • 固体双电层电容器

    吴德明

    <正> 引言利用双电层现象制成双电层电容器是发生在本世纪六十年代中期,其大量研制工作是在本世纪七十年代开始的。日本于1978年宣布实现商品化的是两种液体电解质无极性双电层电容器,其中一种为电池式结构,另一种为卷绕型双电层电容器。前者的工作电压为5伏和10伏,静电容量为0.047~1.0法

    1982年03期 27-35+79页 [查看摘要][在线阅读][下载 602k]
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  • 半导体陶瓷电容器介质的一些进展

    薛泉林

    <正> 一般来说,整机的性能与小型化取决于元件,而元件的质量与小型化在一定程度上又取决于材料。电子设备中应用较广泛的陶瓷电容器要实现小型化,除了减小其介质厚度和增大电极的面积外,更重要的是尽可能地增大陶瓷介质的介电常数。我们知道,半导体陶瓷的介电常数特别大,因此它是制作

    1982年03期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 176k]
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  • 能阱型陶瓷滤波器

    纪春英

    <正> 能阱型陶瓷滤波器是在经过多年的基础研究之后,由村田制作所发明的一种新型陶瓷滤波器。近年来,随着调频收音机,电视机的集成电路化,愈来愈引起人们的重视。本文着重介绍频率为几兆赫到几十兆赫的能阱振动模式陶瓷滤波器,以推动其研制和实际应用方面的工作。

    1982年03期 39-44+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 363k]
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  • 膜式电阻器的调整方法

    马代文

    <正> 应用薄膜或厚膜工艺在基片上制成的膜式电阻器,要使电阻值达到所需的精度,目前都要进行调整。由于膜式电阻器的阻值与电阻膜的导电率、长度、宽度、厚度等成比例关系,因此采用了下列调阻措施:(1)改变电阻膜形状,(2)改变电阻膜厚度,

    1982年03期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 192k]
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  • 电子元件及材料技术的一些新成果

    许文义

    <正> 近年来,电子元件及其材料的进展甚快,已在极为广泛的领域里取得了令人鼓舞的成果。本文仅就(1)铜电极、(2)大容量陶瓷独石电容器、(3)低插损电视图象中频声表面波滤波器等三个专题,评述其发展和取得的成果。

    1982年03期 48-52+38页 [查看摘要][在线阅读][下载 333k]
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  • 氧化锌压敏电阻及其应用

    董志杰

    本文分析了氧化锌压敏电阻的损坏原因,正确选用和节电效果,叙述了氧化锌压敏电阻抑制过电压的原理和各种有关过电压保护器件的性能。

    1982年03期 53-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 240k]
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  • 碳黑-树脂厚膜电阻器的电性能

    曹明录

    <正> 引言本文介绍应用不同类别的碳黑和树脂对碳黑-树脂电阻器的电性能的影响,即对方阻(ρs)、电阻温度系数(TCR)和电流噪声的影响。同时,研究固化条件对电阻器电性能的影响。

    1982年03期 57-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 162k]
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  • 电子元件包封用的聚丁二烯系氨基甲酸酯树脂的防潮及冷热循环试验

    曾宪凯

    <正> 一、绪言近年来,对树脂包封的电子元件提出了能在苛刻的环境条件下使用和长期可靠地工作的要求,尤其是对汽车工业用的电子元件进一步提出了能充分满足冷热循环的环境要求。以往,电子元件包封用的材料主要是环氧树脂。这种树脂作为包封材料有许多优点,但在冷热循环条件下使用尚存在一些问

    1982年03期 60-62+67页 [查看摘要][在线阅读][下载 266k]
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  • 日本压电瓷陶的新发展

    冈崎清 ,金同寿

    本文以掺杂作用和PbTiO_3系压电陶瓷的组成为例,评述了Pb(Zr、Ti)O_3(PZT) 压电陶瓷材料在组成方面的进展,集中讨论了控制诸如电压-输出系数g高的多孔PZT陶瓷和晶粒取向的含铋层状化合物的微观结构的重要性。

    1982年03期 63-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 344k]
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  • RuO_2-玻璃厚膜电阻器的导电机理

    李耀霖

    <正> 绪言众所周知,由RuO_2和玻璃组成的厚膜电阻器是构成混合集成电路的元件之一。玻璃把RuO_2粒子固定,使厚膜粘结在基片上,决定了厚膜电阻器的电性能。厚膜电阻器用二、三种氧化物作添加剂,尽管组成原料不多,但是微观结构和电性能的关系却不

    1982年03期 68-71+59页 [查看摘要][在线阅读][下载 308k]
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  • 铁电陶瓷中电损耗和机械损耗的相关性

    杨德应

    <正> 一、引言锆钛酸铅[Pb(Zr_XTi_(1-x))O_3](0.5≤X≤0.6)铁电陶瓷已成为在压电应用方面占着支配地位的陶瓷。由于它们具有很高的机电转换效率和较高的居里温度,所以被广泛地用来制造谐振器和换能器。它们最重要的实用特性之一是由于内摩擦而引起的机械损耗。为了弄清成分和适当的微量添加物与损耗之间的相互关系,人们

    1982年03期 72-75+79页 [查看摘要][在线阅读][下载 298k]
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  • 新设备 新工艺

    邹志立

    <正> 北京电子管厂研制成功厚膜烧结炉北京电子管厂设备分厂,受国营718厂、北京一机部自动化研究所、治金部昆明贵金属研究所等单位的委托,研制成功了厚膜烧结炉。新研制成的厚膜烧结炉具有结构别致,精度高、性能稳定、操作简便、维修方便、调整手段多和耗电量小等优点。它适用于连续烧结厚膜集成电路用的电阻体和导电带,

    1982年03期 76-77页 [查看摘要][在线阅读][下载 121k]
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  • UZFH型厚膜主中频放大器

    陈汉平 ,谢桂生

    <正> 宏明无线电器材厂设计一所生产的UZFH型厚膜主中频放大器(简称“主中”电路)是通讯机等电子设备中重要的组成部分,它起着放大中频信号的作用。“主中”电路具有增益高、噪声系数小、体积小、使用方便等优点,主要用于各类通讯接收机、雷达接收机、电视传输等电子设备。

    1982年03期 77-79页 [查看摘要][在线阅读][下载 169k]
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  • 聚丙烯电容器技术交流会在江苏镇江召开

    余永令

    <正> 电子工业部阻容元件专业科技情报网“聚丙烯电容器技术交流”会于1982年5月26日至31日在江苏镇江召开。出席会议的有26个单位的正式代表43人、特邀代表2人。会议由上海无线电六厂主办,镇江电容器厂协办,并得到了杨州无线电元件三厂的大力支持。会议期间与会代表参观了杨州无钱电元

    1982年03期 80页 [查看摘要][在线阅读][下载 75k]
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  • 厚薄膜技术交流会在北京召开

    晓飞

    <正> 电子工业部厚薄膜电路专业科技情报网厚薄膜电路技术交流会于1982年6月10日—17日在北京召开,参加会议的共27个单位53名代表。除网内的单位外,中科院半导体所、北京航空学院,北京半导体器件二厂,774厂等从事半导体器件和专用设备的科研、生产

    1982年03期 80页 [查看摘要][在线阅读][下载 75k]
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  • 国外文献摘要索引

    <正> 电解电容器56.电解电容器铝电极的腐蚀日本专利1981-5052 铝电极在含有氯化物离子和硝酸盐离子的电解液中进行电化学腐蚀。腐蚀液的氯化物离子浓度为0.05~0.3克离子/升,硝酸盐离子的浓度为氯化物离子浓度的5~80%。腐蚀过程中须施加单相全波整流直流电流。

    1982年03期 81-82页 [查看摘要][在线阅读][下载 136k]
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