刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 创刊词——齐心协力办好《电子元件与材料》为四化建设服务

    章士瀛

    <正> 四机部阻容元件专业情报网、电子陶瓷专业情报网和厚薄膜混合集成电路专业情报网联合出版的《电子元件与材料》,在各兄弟单位的热情帮助和大力支持下,与广大读者见面了。它是在“我国国民经济已开始走上稳定发展的轨道”的大好形势下创刊的;它的创刊是我国国民经济继续贯彻执行“调整、改革、整顿、提高的方针”的需要,是电子工业和电子

    1982年01期 1-2页 [查看摘要][在线阅读][下载 137k]
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  • 钽基电阻薄膜的进展

    曲喜新

    <正> 一、前言从50年代中期以后,钽逐渐成为电子元件的重要材料之一。那时,因为钽的抗蚀性强、易于阳极氧化、以及其氧化膜具有优良的介电性能,所以首先用来制造钽电容器。由于在块状形式下,钽的电阻率很小(ρ=13μΩ·cm),而电阻的温度系数(TCR)又很大,所以不适于作为电阻材料。然而,在薄膜形式下,出现了钽晶的四方结构(常

    1982年01期 2-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 512k]
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  • 电子陶瓷大有可为

    李学文

    <正> 电子陶瓷是陶瓷专业为无线电电子科学服务的一个分支,从本世纪初问世以来的几十年的时间里,以其多种的电、物理性质和优越的机械特性,在现代通讯技术、电子计算技术、激光技术、航空和航天技术、导弹、雷达、水声、电声、超声,微声、电视、电光、热电、计量、医学、传感技术以及其他众多的民用电子设备中,得到了极其

    1982年01期 10-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 568k]
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  • 真空镀膜技术的进展

    王文生

    <正> 81年8月24~30日,日本日电爱年华公司在上海复旦大学举办质量分析和表面分析技术交流会。会议期间,该公司专务董事、工学博士织田善次郎先生以“真空镀膜技术的进展”为内容作了专题讲演。由于织田先生多年来一直从事真空镀膜技术的研究与开发工作,有丰富的工作经验,并且了解世界上真空镀膜技术的发展动态,因此,讲演内

    1982年01期 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 191k]
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  • 快离子导体的结构及其材料研究的近况

    陈观雄

    <正> 导体之所以能够导电,是因为它们的内部都存在着可以自由移动的电荷载体。在不同类型的导体中,这些可以自由移动的电荷载体的微观本质是不同的。金属中的自由电子受原子核的约束较弱,它们能在金属晶格中自由运动,因此金属中能自由移动的电荷载体就是自由电子。凡是溶于水或熔融状态下能导电的物质叫做电解质。电解质溶液(或熔融状态)中没有自由电子,而是以电离而

    1982年01期 20-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 345k]
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  • Bi_4(Pb、Sr)Ti_4O_(15)含铋层状结构铁电陶瓷的介电和压电性能

    陈大任,郭演仪

    <正> 自从Aurivillius 1949年发现含铋层状结构化合物以来,已经发现了五十多种这类化合物,其中不少是具有铁电性的。这种化合物的晶体结构是由(Bi_2O_2)~(2+)层和钙钛矿结构的晶格层穿插交叠而成,所谓“含铋层状结构”的名称即由此而来,它们的组成式则可由(Bi_2O_2)~(2+)·(M_(m-1)RmO_(3m+1))~(2-)来表

    1982年01期 25-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 442k]
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  • 掺杂对BaTiO_3陶瓷半导化的影响机理

    沈继耀

    <正> BaTiO_3基半导体陶瓷已经广泛用来制造半导体陶瓷电容器、正温度系数(PTC)热敏电阻器、BaTiO_3压敏电阻器以及陶瓷二次电子倍强管等。BaTiO_3陶瓷半导化的机理,特别是掺杂对BaTiO_3陶瓷半导化的影响机理一直是一个非常引人注目的基础课题。BaTiO_3陶瓷半导化的途径有两个:强制还原半导化和掺杂半导化。

    1982年01期 33-38+19页 [查看摘要][在线阅读][下载 428k]
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  • 高可靠的高压纸介电容器

    杨佑仁

    <正> 随着科学技术的发展租整机使用性能的提高,有可靠性指标要求的电容器的研制工作,已提上议事日程,各元件厂已取得了可喜的进展。本文介绍一种有可靠性指标要求的日本荣通信工业株式会社生产的海底电缆无人增音机用高压纸介电容器,该产品的结

    1982年01期 39-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 479k]
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  • 小型金属化纸电容器的高压赋能

    张伟祖,沈念岗

    <正> 一、概述众所周知,金属化纸电容器具有自愈特性。但是,随着电子技术的发展,自愈特性已成为现代数字通讯和大型计算机电路正常工作的障碍。在海、地缆通讯中,自愈会明显地增加背景噪音;在脉冲计数电路中,自愈造成的瞬

    1982年01期 43-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 284k]
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  • 美国杜邦公司厚膜技术简介

    魏道兴,邱洪祥

    <正> 本文系根据1981年杜邦公司来华技术座谈会记录及其提供的资料,归纳整理而成。杜邦公司厚膜浆料发展简况五十年代后期,杜邦公司首先发展了钯银浆料,用其制作的厚膜电路用于IBM360计算机。六十年代又发展了性能优良而稳定的

    1982年01期 48-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 601k]
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  • 敏感元件的发展动向及应用

    郑定远

    <正> 近十年来,电子工业发展迅速。电子元件,作为电子工业的基础,也在不断地提高质量,发展新的品种,并应用到新的领域中去。敏感元件是近几年来发展较快、应用得广的、县有代表性的电子元件。七十年代以来,各技术先进国家盲目追求“大量生产”,“大量消费”,而且还要求生产省力,生活方便舒适。这些都促使了敏感元件的发展和应用领域的扩大。敏感元件能把各种各样的物理量变成电讯号,因而

    1982年01期 58-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 384k]
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  • 国外独石瓷介电容器的可靠性

    傅成君

    <正> 前言独石瓷介电容器是作为瓷介电容器的一个分支而发展起来的;其商品化以来,在美国和日本已有20年和15年的历史了。现在,独石瓷介电容器全世界的月产量约为五亿只,其中片状独石瓷介电容器的月产量约为二亿只。从民用到工业用的大部分电子设备都在使用这种电容器。它的特点是:

    1982年01期 65-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 414k]
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  • 薄膜元器件的一种新灌封料

    黄霭芳

    <正> 引言在整机研究所里,为配合专题研究或新电子设备的研制,需要一些非标准的薄膜电路,而且要求品种多、质量高,但数量少。大家知道,封装是保证产品质量的重要手段之一。而塑料封装具有外形设计灵活、所需设备简单、成本低等优点。因此我们采用618环氧树脂与甲基嵌段硅橡胶的混合料作灌封材料。多年的试验和实践证明,用这种混合料作灌封料是较为满意的。

    1982年01期 71-72+64页 [查看摘要][在线阅读][下载 196k]
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  • 银—金—钯独石电容器电极浆料

    康本潮,俞守耕,刘婀娜

    <正> 一、前言独石陶瓷电容器是陶瓷电容器的一个重要分支。由于它具有体积小、结构坚固、容量范围宽、可靠性高等优点,使它在集成电路和一般电路方面都得到了普遍的应用。独石陶瓷电容器主要由四个部份组成一陶瓷介质、内电极、外电极和包封壳。本文讨论的电极浆料适于作高烧结温度独石电容器的内电极浆料。它是由金属粉末、无机粘结剂和有机溶剂所组成。其中金属粉末通常

    1982年01期 73-74+57页 [查看摘要][在线阅读][下载 200k]
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  • 最大衰减90分贝的PIN电调衰减器—调制器

    倪景棠

    <正> 本文给出L波段薄膜微带吸收型PIN电调衰减器—调制器的设计。该衰减器—调制器在超过工作频率700—1400MHz的整个倍频程范围内,衰减量随偏置电流的变化具有良好的线性,其最大衰减可达90dB、插入损耗小于2dB、输入电压驻波比小于1.6。本文给出两种PIN二极管的衰减特性,

    1982年01期 75-80页 [查看摘要][在线阅读][下载 292k]
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  • 阻容元件情报网领导小组工作会议在安徽旌德召开

    聂玉瑞

    <正> 四机部阻容元件专业情报网领导小组工作会议于1981年10月18日至23日在安徽旌德8374厂召开。出席会议的有正副网长单位及各专业组长等14个单位的15名代表。上海电子元件公司,上海后方议表电讯公司,8374厂和8370厂等单位派代表列席了会议。会上传达了四机部系统第四次情报工作会议和四机部情报网工作会议的有关文件及精

    1982年01期 80页 [查看摘要][在线阅读][下载 56k]
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  • 厚薄膜电路情报网年会暨第四次技术交流会在泾县召开

    廖品善

    <正> 四机部厚薄膜电路专业情报网年会暨第四次技术交流会于1981年11月15日至24日在安徽泾县召开。出席会议的有30个单位65名代表。会议取得了预期的效果。会上传达和学习了四机部系统第四次情报工作会议的有关文件,总结了1981年情报网的工作,制定了厚薄膜电路专业情报网的章程,制定了情报网两年的活动计划,讨论和发展了

    1982年01期 81页 [查看摘要][在线阅读][下载 69k]
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  • 国外文献摘要索引

    1982年01期 83-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 125k]
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